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疑惑:USB阻抗匹配问题

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1#
发表于 2015-7-3 10:57 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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1、USB协议要求数据线的差分阻抗要满足90Ω,想问下这是指工作时候的交流阻抗还是直流阻抗?
# ~4 H& Z& }0 ~9 k5 l) n( F7 l2、目前项目中为了抗干扰,在USB数据线上各串了一个磁珠,磁珠在12MHz时候的交流阻抗大概为30Ω,如果交流阻抗要求90Ω,那么我的差分走线阻抗只要满足60Ω即可?4 u1 s5 n! |: S5 g  m; L/ k, c
3、看到其他产品在USB源端数据线上各串联了47Ω的电阻,这是为了阻抗匹配吧?那么USB工作时是交流信号,而电阻的交流阻抗是0,那么有作用吗?
0 e: o8 j) P0 a! g. p8 j还请各位大侠帮忙解答上面的疑惑,谢谢!
6 u5 u4 L& ?# b  q8 e

该用户从未签到

2#
发表于 2015-7-3 11:03 | 只看该作者
1 那个是特征阻抗,不是交流和直流阻抗9 s# c4 p# b# P% P, I* u) R
2 差分线依然需要满足90欧
6 Q/ U8 Y- C; O* J( |: F3 串接47R的,是USB1.0和US1.1,因为这些都是电压模式的。USB2.0以上的都是电流模式,串接的电阻必须很小,基本上都是用0R(用来吸收阻抗不连续的反射)

点评

目前项目发现USB数据线上加上磁珠后,抗干扰性的确变好了,但USB的兼容性又变差了,会出现个别USB读取有问题。现在怀疑是磁珠在12MHz工作时候的存在交流阻抗导致的。关于这个问题版主有什么好的建议吗?应该从  详情 回复 发表于 2015-7-3 11:15

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3#
 楼主| 发表于 2015-7-3 11:15 | 只看该作者
fallen 发表于 2015-7-3 11:038 m$ [; e5 z$ U% Q* G) `% K& \
1 那个是特征阻抗,不是交流和直流阻抗1 V& q- c+ s% Z6 h
2 差分线依然需要满足90欧6 |, a+ y1 m* m
3 串接47R的,是USB1.0和US1.1,因为这 ...
9 ]% g% ?# C5 o/ v. n
     目前项目发现USB数据线上加上磁珠后,抗干扰性的确变好了,但USB的兼容性又变差了,会出现个别USB读取有问题。现在怀疑是磁珠在12MHz工作时候的存在交流阻抗导致的。关于这个问题版主有什么好的建议吗?应该从什么方面着手改善呢?
& H6 V, o/ U! ^# r( T9 V

点评

没什么好的建议,你可以不用磁珠改用共模电感试试,使用磁珠的见的少。  详情 回复 发表于 2015-7-3 13:36

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4#
发表于 2015-7-3 11:16 | 只看该作者
我也想顺便请教下版主,这90欧的阻抗匹配;是只需要PCB设计的时候走线的阻抗匹配(通过SI9000计算所得,然后交于板场处理);然后不需要端接电阻(100R)或者值端接你所说的0R电阻吸收阻抗不连续的反射。还是说既要保证差分走线的特征电阻,还必要端接100R(90R)的电阻!!

点评

保证走线90欧阻抗匹配。 0R只是起到部分的作用,比如不可避免的要打过孔,以及走线的阻抗不连续。  详情 回复 发表于 2015-7-3 13:38

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5#
发表于 2015-7-3 11:23 | 只看该作者
fallen 发表于 2015-7-3 11:03
/ i! R7 u% c  Y; d* Q: g3 u1 那个是特征阻抗,不是交流和直流阻抗& H/ X3 @7 |: W3 `. H- M$ T
2 差分线依然需要满足90欧- @2 p$ R% m- w% }6 Z2 s6 h
3 串接47R的,是USB1.0和US1.1,因为这 ...

" ^: E9 v1 x4 U然后再请教一下,就是DDR2/DDR3设计的文档都提到需要做阻抗匹配,
1 @/ n% ~6 p; _3 S8 M/ }常见的就是源端50R串联匹配,消除二次反射;一种就是负载端( y3 X; a! k$ O8 y8 S7 i% y
戴维南并联匹配,消除一次反射;但是看了许多的实际电路设计时,; U  U# s8 F  b) Q
很多使用的都是直连的;然后和通过控制走线的特征电阻
$ ^1 J( G, z+ t# t单端使用50R,差分使用90R;这是为什么呢!!是否跟ODT设置有关,
+ l: H: D; `: r* \. q然后时钟线和 地址线、数据线走线的长度 ,相互之间有什么关系,$ K* t* h* s* [) S
比如,时钟线略长与数据线。 还有一个蛇形走线的时候,
9 F1 c& ~' G# F! t) z有没有一定的规则,比如绕几圈,多大的弧度,怎么绕;7 }* a- s6 x8 B  w6 P
问题有点多,还请不不吝赐教啊!!! 也希望其他各位大神 指点迷津!! ^3 ]: @# G" L! o$ _4 v

点评

跟ODT有关系。 其他的你问问大师吧,  详情 回复 发表于 2015-7-3 13:45
是与ODT有关系。  详情 回复 发表于 2015-7-3 12:39

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6#
发表于 2015-7-3 11:26 | 只看该作者
还有 就是告诉设计时的过孔 设计原则,如果选择合适的过孔,还有如何换层!!+ M; N; g- ^1 C1 R! I9 ~
上面 写错了事是 特征阻抗 不是电阻!!!还有铺铜时的网格密度选择!

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7#
发表于 2015-7-3 12:35 | 只看该作者
建议楼主赶紧找本信号完整性的书集看看,好多问题

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8#
发表于 2015-7-3 12:39 | 只看该作者
Log07071222 发表于 2015-7-3 11:23
3 x& T( {3 j$ T0 a" N# _. i; D然后再请教一下,就是DDR2/DDR3设计的文档都提到需要做阻抗匹配,, A+ J6 _. q0 C, T) G, r% ~- w
常见的就是源端50R串联匹配,消除二次 ...
# {' L; T/ G/ B' [2 ~; h7 H" o7 L. U
是与ODT有关系。

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9#
发表于 2015-7-3 13:36 | 只看该作者
xingnuolgsx 发表于 2015-7-3 11:15
  u1 }' E: u1 T0 S" W. q目前项目发现USB数据线上加上磁珠后,抗干扰性的确变好了,但USB的兼容性又变差了,会出现个别USB读 ...

% p+ M4 D+ m3 F& w没什么好的建议,你可以不用磁珠改用共模电感试试,使用磁珠的见的少。

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发表于 2015-7-3 13:38 | 只看该作者
Log07071222 发表于 2015-7-3 11:16( y: X2 j4 }% P4 S% C% E
我也想顺便请教下版主,这90欧的阻抗匹配;是只需要PCB设计的时候走线的阻抗匹配(通过SI9000计算所得,然 ...
+ ]/ R# M. ^( ^: _+ S
保证走线90欧阻抗匹配。
" R3 v: q4 F/ v+ y4 B1 b" M: ]0R只是起到部分的作用,比如不可避免的要打过孔,以及走线的阻抗不连续。
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11#
发表于 2015-7-3 13:45 | 只看该作者
Log07071222 发表于 2015-7-3 11:23
' j0 j7 X7 l0 R3 M, f! p然后再请教一下,就是DDR2/DDR3设计的文档都提到需要做阻抗匹配,' J& X# ~9 a' Y9 b6 i  O
常见的就是源端50R串联匹配,消除二次 ...
2 S# o7 Q$ N; h2 d2 |
跟ODT有关系。# C9 Y( J* \5 `" |' Z
其他的你问问大师吧,
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12#
发表于 2015-7-3 16:38 | 只看该作者
fallen 发表于 2015-7-3 13:45
3 |( m2 h) q' t8 i, E" {; M9 E" J跟ODT有关系。8 @9 |; K* e1 x5 r/ T7 s2 \
其他的你问问大师吧,

& j. Q8 @/ Q/ l0 I( m谢谢!!!哈哈,最近几个月 看了很多书,但是,/ @+ `' }/ u) q1 P8 j0 v
有些东西知道好像是那么一回事,但是又不是很确信
3 w# f1 |. [9 b0 g" ?( j所以需要大师 给出确切的答复" p4 s$ L( E. |4 r' v: I

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13#
发表于 2015-7-3 16:38 | 只看该作者
坐等 各路大师 继续跟进啊,贴文章 文档,4 H8 ?% w( o5 A
都行
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