徐老师，请教您关于您书上混频器的讲解

煮酒fu

图上是您设计的镜像抑制混频器，讲解的十分的通俗易懂，我想着仿照书上所讲的制作一个混频器。

我想制作的这个混频器主要是把2.4G左右的信号奖品到中频，首先对2.4G的射频信号存在疑惑，
! [) ]# w& ~& k5 `) r4 k, X- L' t问题一，常见的2.4G信号，它的中频频率是多少？ 我在网上搜索了一下，并没有搜索到。
问题二，我打算制作的混频器射频信号的频率2.45G，本振频率2.4，这样我便能用示波器观测到中频带宽50M的信号。
4 j+ {6 P2 m* V+ q+ f但是，如果我用该混频器射频信号接入2.48G或者2.43G，该变频器是否还能有效的将2.48G或者2.43G变频到中频，据我猜测是可以的，但是会影响该变频器的增益，是这样么？
$ p- `8 W6 m2 K. M
1 K* b7 [2 B% U! x问题三，  ROGERS的板材是比较贵的，所以我想用fr-4的板材来设计混频器。但是对下图中的MUSB中的参数不是很清楚。

  W& ^; ?# B5 X8 s) v

. n( _1 P( Z' zH = 板材的厚度                这个我打算换成fr-4   1mm
' a+ k3 @; P3 e" \6 oEr  = 板材的介电常数       这个我打算换成4.2
Mur = 1                            这个参数不清楚什么意思？
cond=1.0E+50                这个参数不清楚什么意思？
Hu = 1.0e+0.33              这个参数不清楚什么意思？
T                                     铜厚度，这个清楚
TanD= 0.0037                这个是铜箔上下厚度不一形成的的角度么？
8 a/ I1 K+ A- e* f以上是我的问题，麻烦看到后给解答下，非常感谢。

Xuxingfu

1.目前很多2.4G都是零中频方案，本振=外来频率
2.对的
3.频率很近，影响不大
4.可以
- j+ D2 Z. K: U0 c% K  k5 t5.书的前面章节有对这个几个参数介绍，MUR磁导率=1 cond电导率 TanD=0.02是FR4损耗正切

煮酒fu

Xuxingfu 发表于 2015-6-3 14:31
1.目前很多2.4G都是零中频方案，本振=外来频率
2.对的
; l* U: ~# K7 N0 e' i. y3.频率很近，影响不大

谢谢，徐老师。对于书籍我暂时没有完全读一遍，后面会补上。
在用fr-4的设计中，mur cond hu这三个参数是否不变，但是需要将Tand改为0.02？
+ q: G& G' Q, ?: Q  }* C0 h

煮酒fu

Xuxingfu 发表于 2015-6-3 14:31
/ }3 j* v; H( V  {" W9 J! t2 [& |1.目前很多2.4G都是零中频方案，本振=外来频率
0 O+ z6 S9 }' t3 B8 q2.对的
3.频率很近，影响不大

1 D; O& D6 b" J- R& T/ k已经在书中找到了这些参数，我想这些参数我应该和PCB厂家沟通下，向他们索要这些参数吧。？
, ]+ P8 V, j- y: i9 [8 J/ q

煮酒fu

Xuxingfu 发表于 2015-6-3 14:31
1.目前很多2.4G都是零中频方案，本振=外来频率
2.对的
7 @- l3 P2 n0 e) J3.频率很近，影响不大

3 U4 m) C6 Z! T1 ]' |$ s/ y对于基板高度H，我很疑惑的是，双层版与多层板对混频器有影响么，徐老师？