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本帖最后由 pjh02032121 于 2015-5-25 20:37 编辑 * y( t( O* N% d8 Z- g# z
% I* C6 _/ K' ^* m1 X, i, |
1. 建模
9 N8 J( U% r0 ~) rcadence的sip或APD封装源文件，输出floeda文件。
# M p9 g1 F4 I" ?, x8 f
& g0 {" d' B |. c/ ~
, U/ Q. j! M) |( _$ P. @7 T8 k打开Flotherm，新建工程，打开flopcb工具，导入上面的floeda文件，检查元件的属性（三维尺寸，材料，功率等），修正属性不对的器件，都没问题后转到flotherm工程文件中。$ @5 w) a- q& A7 L4 w
$ R) l5 G* r' i- I
% }; U$ J/ O9 O' @
以上只是把sip文件导入到了工程文件中，接下来在flotherm中按照JEDEC51-2，51-7的标准搭建仿真环境。/ f) @+ Z0 \* I7 _9 F4 b3 i( `$ |
给sip加mold塑封，测试PCB模型等。
4 g( a7 l# u5 w/ V: {0 _/ R ' N3 g, W% A! r4 I' z8 Y4 b7 c* u
% ~( N0 H+ E- p7 d# A1 V4 d
0 i/ E5 O1 d! \) q2. 仿真
: ?$ \2 x! y/ j7 K2 D$ M+ |7 K3 V% ?右键在模型上设置模型的各种属性以及网格划分等等$ v. v4 l3 U* A" ^
6 e4 P8 x4 `2 a7 ^
8 q L* T" z" Z1 Y1 {从Model菜单下依次设置各种边界条件，约束，流体属性，变量控制等等( |9 Y% O L Z; {& f0 k9 @
U5 O5 b# o; h
. F; f4 H% U( `7 s4 ?从Solve菜单下依次设置求解控制等等
9 r$ i9 p* b5 C7 g( l' N' |
. I) I k& b9 \, t: Y3 Q3 w3 B
4 ~; b: }& u9 |! V8 B& d( vSlove/sanity check没问题后，就可以运行仿真了，Slove/slove。。。' a' U ?/ G5 X4 L' |1 ^6 h! D3 t1 [
仿真运行后，弹出仿真的监视窗口，可以看到残差曲线和监控点的温度，此监控点设置在封装内的两颗硅die上。
6 |+ P* Y# e5 n9 l8 x& r达到设置的收敛标准或迭代上限后，求解自动停止。
: p( u& J; @4 S, c; ]% Z9 l9 T % ^% |! I4 b+ K6 d+ X6 {7 m5 C, N
Z! k* n9 Y7 F3 P5 _- z4 K: X: M2 F$ e/ n
3. 后处理
; a+ u- A8 f( j4 ]# H+ w2 M2 i运行flotherm的后处理程序，生成直观的温度场图，模型表面温度等等: h% Q8 Y% F, \, b( B$ z5 [5 K
& F% e7 C" K% U% @9 U
+ }/ [3 m* Y/ r/ {- q# K$ Y" c. }2 c+ H1 T# E
Rja=（Tj-Ta）/P=（53.4-35）/0.144=127 （K/W）
* C& T% V. i# R* M+ u- |: F( K# h# y2 M- {5 [6 H v
为了改善散热，在substrate的下方加thermal pad加强散热， 结果节温为50度，对应的Rja为104，降低了约20%。$ {7 Q' o9 M9 n, b" M1 Q3 `8 Q1 T, {
2 j* H' _* q" l
- e, C4 @5 h: p& y |
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发表于 2015-5-20 20:16
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发表于 2015-5-25 14:28
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