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求助电路图MOS的作用

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发表于 2015-3-17 12:11 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 tlyyy1314 于 2015-3-17 13:17 编辑 2 h3 |+ e+ z/ W4 S3 [2 l
" J# `" R/ i. X4 ]6 s
1、电路中的MOS的作用,是如何导通的。# a) I9 z. M: e* [8 u/ o5 O
2、电容C387的作用?
# ]' X6 J+ W! z7 m) Z9 W$ t; `8 A/ U

$ G# E7 o9 r' @2 F2 \+ E

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推荐
发表于 2015-3-17 20:48 | 只看该作者
本帖最后由 yangcanhui07 于 2015-3-17 20:50 编辑
; m) Y2 b: v" G$ W8 Y( q! H& u3 `6 ]. k- o( D8 g
C387的用途,当然是为了软启动,减缓上升沿,不过,增加缓启动的原因一般有两种情况:
2 L; y5 t: ?$ ~% `  j* a% ^7 N第一种情况是开关后面的负载在启动瞬间会从电源吸收一个大电流(浪涌电流?有些器件如LCD会明确标识出这个参数并附上测试条件,测试原理图和测试结果),由于开关电源的动态响应特性和电流补给是需要一个时间的,这个浪涌电流轻则在电源上产生一个小尖峰(举例如见下图),严重的,浪涌电流如果超过开关管的current Limit会使得开关电源暂时性保护(电压瞬间跌落较多).从这个电源动态特性图基本上可以看出,电流从0增加到3A,只在电源上产生了100mV左右的尖峰,并且在200us以内重新恢复正常.应该说这颗电源芯片的性能还是不错的.如果说在3.3V上产生100mV的尖峰不算多大个事,把这个电压换成1.1VCPU内核供电,可能谁也不敢忽视了.所以,在接通或断开大电流负载时,尽可能让负载电流平滑.个人的经验值是1ms,仅供参考.注意这个时间不宜过长,否则会引起负载时序紊乱或上电异常( E! b( W) P# L
c:\电源动态特性.JPG
% D0 L' }/ g: M8 {, h  E: ~% p第二种需要缓启动的情况,负载电流并不大,但是开关管后面有个大电容!这个问题相比第一种情况产生的后果更严重.举个例子,假设一个3.3V主开关电源滤波电容是10UF,后面接一个MOS开关,开关后面接一个电容容量也是10UF,那么,当开关打开瞬间,如果你有示波器,你会发现,电压直线下降一半,然后再逐步上升重新回到3.3V.为什么会直接下降一半?因为开关打开的时候,就相当于把一个充了3.3V的10UF电容跟一个没有充电的10UF电容直接并在一起,结果就是两个电容都只有一半电压了....然后,悲剧发生了,系统复位了--不复位那才叫怪呢.0 b( D( b0 B; @" z
看起来楼主的图上这两种情况都存在,虽然只是充电电路,而不是内核或主电源,从设计角度来说,减小冲击是对的,因为电源入口产生的尖峰也同样会转移到各路输出端,只是幅度会有所减弱而已.
& B/ X9 W0 O  Z# z

电源动态特性.JPG (107.94 KB, 下载次数: 6)

电源动态特性.JPG

点评

支持!: 5.0
高手!  详情 回复 发表于 2015-3-18 21:21
支持!: 5
图文并茂!  发表于 2015-3-17 21:18

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参与人数 1威望 +2 收起 理由
ivwssc334933 + 2 很给力!学习了

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2#
发表于 2015-3-17 12:55 | 只看该作者
不就一开关电路么,
, Q5 h9 x" _3 k& a. o/ n. A另外C462在哪里?

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C387  详情 回复 发表于 2015-3-17 13:11

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3#
发表于 2015-3-17 12:59 | 只看该作者
PMOS管:OTG-ID置低时,三极管导通;对于mos,此时Vgs小于0V或者说阈值,MOS打开。电容?位号没看到! X# d) @4 \- f) u+ c+ g9 w" C' s$ }

点评

电容标错了 是那个C387  详情 回复 发表于 2015-3-17 13:11

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4#
 楼主| 发表于 2015-3-17 13:11 | 只看该作者
yujingfa 发表于 2015-3-17 12:59
0 v2 t$ @' M& ^4 t- PPMOS管:OTG-ID置低时,三极管导通;对于mos,此时Vgs小于0V或者说阈值,MOS打开。电容?位号没看到

* K& q/ g& B7 \1 e2 O, B9 J电容标错了  是那个C387
# g$ ?- s# c& L6 k

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5#
 楼主| 发表于 2015-3-17 13:11 | 只看该作者
fallen 发表于 2015-3-17 12:55
, j1 |9 j4 d! Z' y) }不就一开关电路么,
9 A7 V  x+ i7 d! O. ?6 _另外C462在哪里?

: B6 K+ y: i* `4 hC387$ y  J, a- H+ _  _6 [

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C387就是增大GS的电容,跟GS电容并联目的就是软启动,减缓上升沿,降低器件的应力。  详情 回复 发表于 2015-3-17 13:53

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参与人数 1威望 +2 收起 理由
liu19850810 + 2

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6#
发表于 2015-3-17 13:47 | 只看该作者
C387用来延迟Q32的导通与关断,拿个软件仿真一下就知道了

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7#
发表于 2015-3-17 13:53 | 只看该作者
tlyyy1314 发表于 2015-3-17 13:119 }; n' L' u, q( W7 e
C387

* ]9 P* A6 }% sC387就是增大GS的电容,跟GS电容并联目的就是软启动,减缓上升沿,降低器件的应力。
4 T9 I  x) D1 @# u

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8#
发表于 2015-3-17 16:52 | 只看该作者
MOS作用——开关, K, j9 ?! w5 ~0 _
OTG-ID为高的时候,Q17导通,Q32的G极低于VBUS,Q32开通。
* r& m8 d- i: FOTG-ID为高的时候,Q17关闭,Q32的G极等于VBUS,Q32关断。
+ T3 y8 t# J7 }4 m( p( H为什么能开通,请查阅PMOS的特性。
" S- |0 y4 X! a% ?* ~

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9#
发表于 2015-3-17 17:46 | 只看该作者
电容作用就是充放电功能,就在VBU0上电是,R42为C378充电,Pmos 就会在充电时导通,

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11#
发表于 2015-3-17 22:00 | 只看该作者
正解,PMOS是开关,OTG_ID控制开关的导通,电容和电阻一起是为了缓冲

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12#
 楼主| 发表于 2015-3-18 19:03 | 只看该作者
感谢各位的回答

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13#
发表于 2015-3-18 21:21 来自手机 | 只看该作者
yangcanhui07 发表于 2015-3-17 20:48
/ {' @' \0 V1 Y. g- EC387的用途,当然是为了软启动,减缓上升沿,不过,增加缓启动的原因一般有两种情况:
: z- _( J/ w) i& w第一种情况是开关后面的 ...

" P2 p6 ^  m+ o" F高手!

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14#
发表于 2015-3-19 08:50 | 只看该作者
yangcanhui07分析的比较详细,
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