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[仿真讨论] 手算简单电路的S参数

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1#
发表于 2015-2-5 15:00 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
哪位大哥能帮忙手算一下这个电路的S参数或着给一个计算思路,两个端口的阻抗都是50欧姆,只需计算250MHZ这一点的就可以了。! n1 f( J4 F0 S( w/ y' ]5 s
说用仿真软件计算的就不用回了
3 y4 x$ U9 T9 t- n. ?$ W我有一些心得,但不是很清晰,谢谢
3 q. g! G/ m! w$ Z( a9 E/ x' {* \4 `3 ^: i! |" ?! _
7 h1 ^9 E- A" o0 l" b, W# S2 H

s参数计算.png (6.36 KB, 下载次数: 4)

s参数计算.png

该用户从未签到

2#
发表于 2015-2-5 16:42 | 只看该作者
本帖最后由 cousins 于 2015-2-5 16:44 编辑
3 r. `. d: S7 A8 d) B: d
& \2 Z9 }2 m9 G/ b详细计算我就不写了,写写思路:5 a% O3 X$ U* Z
首先延时要转换成电气长度,这主要和频率,电气长度有关系4 w5 _% f! y" m- K$ B
75ohms传输线处的端口算出Zin2,ZL为Port2内阻
- G- @9 ]: S& R& p. B) C( m0 b; ^! k  ?Zin1作为25ohms传输线的ZL再算port1的Zin1 由Zin1和Port1内阻算出S11
( H" \& H: ?* |0 H# l) F同理反推S221 x; D$ U  W) V) D* s
% j( f" |! t( R# W
Zin=Z0*(ZL+i*Z0*tan(theta))/*(Z0+i*ZL*tan(theta))9 x  i4 i7 l! M1 J% i
8 J( G: M+ K( U4 Z% x* M) |# T
dB(S21)=dB(sqrt(1-S11^2))-ConductorLoss-DielectricLoss9 o! t% o, l  E8 s8 N7 ?3 g

3 a2 W8 B$ e% u) y  C, mConductorLoss=4.343*esr*(0.637*tan-1(1.4*(surface roughness/delta)^2))/Z0
+ @. [2 H2 A" S% h0 r. S8 ?. H3 F1 U0 _: L7 J# Z
dielectricloss=4.343*omega*loss tangent/v1 ^/ k! Z. Q. `0 d5 i

5 \! q! g% {" B2 P" A7 r! \esr为电阻,delta为趋附厚度,oemga为2*pi*f,v为电磁波传输速度
/ Y' t4 z/ \5 h1 r, |' X' y$ D) j2 ^# E" L0 v
有损条件下需要算反对数运算,运算量有点大。( o' Y+ K6 }$ T+ E
- w  }, X* B1 m3 e$ G7 S9 s
无损条件下,Conductor和Dielectric损耗为0,S21=sqrt(1-S11^2)
5 Y; \4 T' [  A3 l8 c) Q; t反过来求S12也是同样道理.+ m% q1 B1 X$ o$ p) _9 U

该用户从未签到

3#
发表于 2015-2-11 19:57 | 只看该作者
问一下,我们PI仿真时用的电容S参数也是这样计算出来的吗?谢了

该用户从未签到

4#
发表于 2015-2-12 08:07 | 只看该作者
你仿真用的电容是测试出来的。
6 x4 ?) E1 P( k5 _4 k当然,厂商在设计MLCC时,也是类似的multi-layer结构,也是以此方式计算。
* Y. j( N5 n* \% w

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5#
发表于 2015-3-17 15:06 | 只看该作者
这么多工具,为什么要手算呢??

点评

手算可以提高自己对S参数的认知,以后仿真软件出错,一眼就能望出来。  详情 回复 发表于 2015-3-17 15:36

该用户从未签到

6#
发表于 2015-3-17 15:36 | 只看该作者
JOBS 发表于 2015-3-17 15:06
' i) }" p# i3 p6 D6 U6 A这么多工具,为什么要手算呢??

6 c. f9 U9 ]6 v2 @! Q手算可以提高自己对S参数的认知,以后仿真软件出错,一眼就能望出来。& F$ N6 d" V: Z  Q! C( F! F
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