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WCDMA ACLR(邻道泄漏比)受到那些因素影响

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  • TA的每日心情
    开心
    2024-9-14 15:26
  • 签到天数: 9 天

    [LV.3]偶尔看看II

    跳转到指定楼层
    1#
    发表于 2015-1-28 15:34 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    x
       在测试WCDMA频道的手机模块时,发现线损的补偿值不正确时,ACLR的指标很差,基本都不合格,然后拿了标准模块进行对比,修正了补偿值,将补偿值由-1.5dB调整为-3.3dB,这是ACLR的指标就很好。+ |% ]8 j7 h  P; ?2 {2 p7 B- [8 Q
       我怀疑ALCR是不是受到输出功率影响,之前由于补偿值较小,实际上此时模块的输出已经超出了要求范围,相当于起控了,导致ACLR指标变差,对这样机制原理还不是很清楚,请大神帮忙解答,谢谢!
    ; T; K& f( j/ D0 f; \

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    该用户从未签到

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    发表于 2015-3-8 16:32 | 只看该作者
    本帖最后由 criterion 于 2015-3-8 16:42 编辑 4 Z- E7 R9 Z: F. d/ R! D! t2 j/ E

    : L* |* Y3 E! N6 f/ m0 {3 MACLR肯定是受输出功率影响啊
    . l5 `* A0 U: l3 y$ q' H2 D" j: B) G* z5 @" |1 n& g+ g) S. m
    ) l3 \1 h" I; g( O1 M
    + x: `2 n) Q- G+ q6 v

    7 t3 L8 l9 G1 ~6 [7 i

    . V: j8 t4 j% s6 Y9 ~
    1.     当你输出功率太大   会使PA操作在饱和区  产生非线性效应4 @. ], V' O/ F9 K; I
    2 L2 f' E! N$ p  P' J1 `- Z
    " \" \9 c9 c1 P! [; s9 I
    / K0 I2 o. _" e# Q- H  N; P3 c! [

    5 M/ S+ E$ d7 Y6 Q

    4 o6 w$ w5 B. Q: `) O
    而非线性效应,会衍生许多噪声,例如 DCOffset,谐波,以及IMD(InterModulation),如下图 :
    6 a, r# S( c0 O5 i( c3 q+ O" r7 I+ U" d$ h9 n! |

    3 q% V$ U9 N* {; C# w, e' b
    + \9 Q# F! `( F2 N5 j  ~- E- D
    而三阶的IMD,即IMD3,其带宽会是讯号的三倍 因此会使两旁频谱上涨
    1 v/ S+ y# O4 N% \+ W$ O, d
    ) j/ I: C% _* f; w) [3 m5 r/ z. H1 g8 ]! p9 y' t

    3 x4 F8 c3 m7 [& M

    % v9 R. p6 u1 B( Q0 u
    而IMD3   又牵扯到IIP3   IIP3越大   其产生的IMD3就越小  
    所以简单讲  ACLR就是TX电路IMD3的产物
    测ACLR  等于是在测你TX电路端的IIP3
    8 G' t' O& f) h3 ]
    ( o* z4 O3 g/ G- E

    5 Q/ ]  ~1 S& a3 q9 V
    由上式可知  如果输入功率小   使PA操作在线性区
    或是这颗PA的IIP3够大   那么ACLR就可以压低
    5 }: E( v  b' K* d, r$ ?; H9 L% p* j& _/ G- b& X: u

    5 j! m3 h9 ?0 G5 w! ^: |+ f5 ~# |" M/ {6 j' Z( G2 D- D

    ! `) E1 \$ d: Z7 @3 }( q6 l- d6 R3 |# A2 Q1 h+ W9 N
    7 Z2 g5 v! U8 W" h# Y3 {! I

    * w7 `/ _# @- P2 Q, f/ W% {4 ]  ^  t  w; A
    2.      
    另外  厂商多半会有PA的Load pull图
    . g$ c7 l: U& |! U9 E

    ! ~0 i8 J* r# w
    9 u! G6 H  O+ z

    / _! ^- h. S/ x  O' Q
    由上图可知  ACLR跟耗电流是Trade-off
    这是因为PA的线性度与效率  是反比的
    你ACLR要低  那就是IIP3要高  线性度要好  因此效率就低  耗电流就大
    反之  你要耗电流小  那就是牺牲线性度  ACLR就会差
    所以一般而言  调PA的Load-pull时  多半就是调到最常用的50奥姆
    以兼顾ACLR跟耗电流
    1 x$ L) U7 E$ }( V3 ?

    $ S. p% n4 e6 o# M

    2 U' z! K# A. q! ^1 `& p$ X/ a
    3.     WCDMA的TX是BPSK调变   非恒包络
    因此其PA须靠Back-off   来维持线性度
       当然  Back-off越多  线性度越好(但耗电流也越大)9 n4 @4 U. c# \8 L9 |+ Z- I. L
    " L' D& ^1 C* n# \4 p
    0 f( ~. t4 _7 v1 G

    * D2 n# Y( p  P5 h4 Z
    而WCDMA的方块图如下
    # f9 z$ }% ?. c, y" Y9 ^
    ) V( o/ _% l2 Y" y
    + [5 k) d" f% h3 `; @: A
    PA输出端的Loss  例如ASM,Duplexer, Matching, 走线的InsertionLoss
    统称为PostLoss
    如果你要达成TargetPower(例如23.5dBm)
    一旦PostLoss越大   意味着你PA的输出功率就越大  如下式跟下图 :

    # H4 t) R: Z  q) a1 s% G5 @
    " N& r; T2 F# r$ D' `5 ~
    ! @3 n2 B* ]' ~" @* t
    ) P7 A, x* a$ O' ~5 g; Q# Y! a9 Y
    # A0 `! \0 s9 s, R' h2 j
    如果PA输出功率打越大   那就是Back-off越少  越接近饱和点   
    当然其线性度也越差   其ACLR会跟着劣化
    / m' p% v- V" d$ v& k! U5 D
    ( W) I4 F( `% Q+ x( C
    4 [) [6 P9 a' f3 R9 m8 g$ S

    7 a/ i& v: r) ?* Y! J7 O
    ) v/ P" x# a+ A( D5 o
    ; `- ?( t6 g4 b8 J: j' n' q
    4 ~% l/ {  F: M0 k3 K9 v- k9 q4 M( Z
    ; h+ [7 ~: v% w7 B# q& n* X, [4 X- Y* m" P) Z' M
    4.      
    ' A" x# [& u1 g# l3 N, o

    4 {0 m8 ], w# M1 E6 r
    由上图可知  PA的input  同时也是DA(Driver Amplifier)的Load-pull
    如果PAinput的阻抗  离50奥姆太远
    亦即此时DA的线性度不够好  ACLR就差
    加上PA是最大的非线性贡献者
    如果PAinput的ACLR已经很差   那么PA out的ACLR  只会更差
    一般而言   一线品牌大厂,其PA输出端 正负5MHzACLR
    都要求至少-40 dBc
    ' H6 e1 Z3 T% F, ~/ Q2 N7 F% N- X3 l+ G/ F

    : `5 Y  T: E* l8 H* t

    9 r' \, u) B. j: B6 @
    亦即表示PAinput的ACLR  至少要小于-50 dBc
    (由于DA的输出功率  远小于PA输出功率  因此ACLR也会来得较低
    再次证明ACLR与输出功率有关)
    ' h, D- ]" R, c% n: Q3 x9 s4 W

    4 E5 `5 S3 m7 L! Q
    . R' \6 X5 x5 w, x
    5.      
    LO Leakage跟DA产生的2倍谐波,有可能会在PA内部,产生IMD3
    进而使ACLR劣化。

    2 M" H8 e) R. r

    2 S4 w5 I9 g) e: S9 J, t# W! ^* Z2 T
    所以若在PA前端,先用SAW Filter把2倍谐波砍掉,
    可降低其IMD3
    进一步改善ACLR。
    0 a2 |6 D  n' w+ n- K
    7 O: k+ f) g0 ?! ]# i% T( l
    若滤波器的陡峭度越好,则越能抑制带外噪声,
    因此理论上,使用BAWACLR,会比使用SAW来得好。

    % `8 j$ j1 R2 K6 ~! c% Q

    ; }1 k* P5 @9 F' D: z
    " |" [3 ]! }$ N5 a6 |
    而FBAR的带外噪声抑制能力   又会比BAW来得好

    # g; u) `- k4 _! Q
    & @; P7 m+ e1 S# R* Y. ?

    - S: y- s; D8 ?3 ?. m
    当然,有些平台,在PA前端,是没加SAW Filter的。. G) b' R' `" l6 b+ G: N
    而拿掉SAW Filter之后,其ACLR也不会比较差。
    * L& [  r; Q  R; C8 Z) i3 N
    0 e# \, Y/ r5 X/ J
    ' {+ L0 e4 u* F0 I3 A* m
    这是为什么呢? 其实由以上分析可以知道,
    - t/ O( v7 m  c* r8 S
    PA前端的SAW Filter,之所以能改善ACLR,
    主要原因是抑制Transceiver所产生的Outband Noise(包含谐波)。# `5 U6 x6 A. ?# Q- ^2 J0 \/ {/ g
    换言之,倘若Transceiver的线性度够好,所产生的Outband Noise很小,
    其实PA前端是可以不用加SAW Filter的,

    4 }9 g+ U: U! p2 ], T# X+ F6 ]: W6 [0 a) \( @. i

    6 Z3 u* u. P& c! g0 f! i# {) C% K
    : [3 {' z: @7 a/ ^! m; y6 z' C  p6 I% W7 S+ P" w) j0 ^# R% x& c

    9 P  A7 F6 V5 k. B* U& p
    ) Q; Z; m+ j& I& A* U$ T; j
    但要注意  虽然PA前端的SAW Filter可抑制带外噪声,改善ACLR
    但若其PA输入端SAW FilterInsertion Loss过大   
    意味着DA需打出更大的输出功率  以符合PA的输入范围
    (若低于下限   则无法驱动PA)   如下式 :
      n  e% U) G8 ?. b
    6 f# Y; Y% x6 E) |
    而不管是PA, 还是DA, 若输出功率越大,则ACLR越差, 如下图 :

    : F9 s9 q5 k3 D7 N% |

    ) O9 Q" u' l1 z& I2 k4 m5 N# B
    若DA输出功率大   使得PA输入端的ACLR差
    那么PA输出的ACLR  肯定只会更差
    当然   若用FBAR  既可抑制带外噪声 Insertion Loss又小  是个风险低的方案
    但成本不低

    & }# H7 E6 o5 s& C

    " u. e/ `' F8 e0 r5 w' g' p" Q  N

    + z$ c; a, Z+ P7 ]' U" ^; {
    6.     由下图可知  Vcc越小   其ACLR越差
    ; ~& p2 h) g' c  ~& t

    8 G, i8 k/ x$ Z. t' T. g: j; @

    " J' U$ o5 V8 M1 t% E
    这是因为  放大器在闸极与汲极之间,会存在一个既有的寄生电容,又称为米勒电容,
    即Cgd, 如下图 :
    ! R' L9 m1 Q" q- J0 ]' ^

    % G; x+ f& c) ^7 h) a: i9 Y
    / I3 a( T  z4 t- _3 U
    ; ^2 M8 E" x7 e- Q

    ( R) U; z. W2 U4 t, X& l/ o6 u$ x3 |6 b
    而当电压极低时,其Cgd会变大。
    ; j( v5 `4 [1 m' g
                            

    * m: `4 X5 b5 j/ ]( G* h
    上式是Cgd的容抗,当Cgd变大时,则容抗会变小,
    9 f6 u. i- l* }4 f1 |5 m6 T因此部分输入讯号,8 ]  ~, }4 A, \2 N( W6 h
    会直接透过Cgd,由闸极穿透到汲极,即上图中的Feedthrough现象,导致输出讯号有严重的失真4 l. z* Q$ U3 u/ n1 B) S
    简单讲  低压会让PA线性度变差
    : K% g3 m- {( ^因此若Vcc走线太长或太细   会有IR Drop  使得真正灌入PA的Vcc变小* u; r; T0 [7 i) I2 p, a
    那么ACLR就会差
    ; ~4 X# L+ ]' f当然  除了PA电源   收发器的电源也很重要
    ' E; u% B( M- k3 x  t否则若DA的电源因IR Drop而变小    使得PA输入端的ACLR变差, W  ?7 v( K9 N! j
    那PA输出端的ACLR   只会更差  M+ C7 |$ L/ }

    8 z- g9 [$ h6 J; i2 P8 V% z
    1 W+ w; z- e! ?
    ! j* A+ c. G4 V; o  R' w. Y  I

    ' r' e4 U: ^, g3 O$ d( Y- J2 l$ e3 ^4 y
    ; u. W" n& q( _  d

    ' H; t" k5 t4 C, B
      M) p7 W8 W8 G! p& e1 v1 @' v! R+ K; h  r0 Q

    1 d1 J$ Q9 n3 b, X: c0 \4 ^: \( l1 a3 T8 |% D
    7.     在校正时   常会利用所谓的预失真   来提升线性度

      K* U3 R: V; w& Y, ~

    6 S( i# Q, f# {7 Q, N
    而由下图可知  做完预失真后   其ACLR明显改善许多
    (因为提升了PA的线性度)! M+ O1 E% x- m8 q
    4 R' r; ~2 _$ Y/ t, W
    ; s2 d) t" o1 z9 \* j* S' L4 h
    ) |6 a* X6 Y6 V4 _) P  H6 ?4 v. c
    因此当ACLR差时   不仿先重新校正一下
    1 f+ ~9 B5 C9 I$ I7 E5 z9 c
    + S8 Z' z3 Q- j& w9 j% Q/ C9 n4 M* V

    - @2 \. t. b$ l
    : h) Z7 u) b# O5 q: [& k% b
    8 _- c7 d* q; G) T; C: N

    6 Z3 X" K6 o3 m, W" L; @& V2 e: ]  o7 a4 \
    4 A' z7 G$ Z" ^* e
    8.     一般而言  PA电源  是来自DC-DC Converter  
    其功率电感与Decoupling电容关系如下 :
    % g* E: Q- w" r3 r5 z& u: j

    $ s9 B8 n% C% J7 c3 a. l3 p
    ( b( r, \/ ?$ c  V8 S
    由于DC-DC  Converter的SwitchingNoise   会与RF主频产生IMD2
    座落在主频两侧
    # p: W) g" ~% I/ q2 s, Y
    3 K- `6 i2 Z2 a9 K- ]( T

    7 Q, \; X! N/ a
    虽然IMD2的频率点  只会落在主频左右两旁1MHz之处
    理论上不会影响正负5MHz的ACLR
    但因为一般而言  DC-DC Converter的Switching Noise
    其带宽都很宽   大概10MHz
    因此上述IMD2的带宽  分别为5MHz与15MHz
    (WCDMA主频频宽为5 MHz)
    换言之  上述的IMD2  是很宽带的Noise   
    故会影响左右两旁正负5MHz的ACLR
    ; Z7 P1 v& R' Z+ t' c" S
    , [8 B. Z+ ]# I) i1 s( _- T
    . U+ h0 @' A: }  R! K+ C2 w
    因此   如果能有效抑制DC-DC Converter的Switching Noise
    便可抑制其IMD2,进一步改善ACLR
    故可利用磁珠或电感   来抑制DC-DC Converter的Switching Noise
    如下图 :

    ( D' C, p# x! }+ d
    - C0 W5 f" v  h) y" V5 ~

    4 ^% l* P& A( u9 }- ?. Z  D
    我们作以下6个实验

    , g3 U# B0 X3 }' I$ w* ?
    + s0 @2 D4 W# G6 b* f8 K
    2 X$ v% a3 O: C

    * w4 r! Q& D4 ?) l- P$ j# r0 C( i% T7 d" L8 w
    - U* e6 m1 b3 x0 i7 m5 Y3 A

    6 v# ~9 k5 s; m4 B. b
    , z$ H1 {' F1 F  B  W" x! O
    就假设DC-DCSwitching Noise为1MHz
    我们可以看到  在Case2, Case3,  Case4
    其1MHz的InsertionLoss都变大  
    这表示DC-DCPA的稳压电容之间   插入电感或磁珠
    对于Switching Noise  确实有抑制作用
    而由下图可知   其WCDMA的ACLR   也跟着改善
    由于Case3的InsertionLoss最大   因此Case 3的ACLR也确实改善最大
    + |5 c5 R0 Q3 W& ?8 y# k5 A* r! }
    $ k5 F: G: x% }* i5 w. G

    - c4 O2 b% B2 X8 }# ]2 V4 E' a7 M* d7 Z8 ?$ M

    ' _8 L/ [0 R- [$ v4 P7 e

    " p# u8 ?9 s# t6 `8 m/ k7 }% d! K6 S5 I; r4 E! w2 N; u5 V; ?  Y4 i. q7 w" m

    % @+ r4 b1 o" R: L5 S9 B
    9 W/ f- {; L$ H/ C
    9.     承第8点  DC-DCConverter的稳压电容   与PA的稳压电容
    绝不可共地   因为该共地   对DC-DC Switching Noise而言
    是低阻抗路径   若共地
    则DC-DC Switching Noise   会避开磁珠或电感
    直接灌入PA  产生IMD2  导致ACLR劣化
    换言之   共地会使第8点的磁珠或电感   完全无抑制作用" v4 n( B) [/ i1 U8 _

    ) B1 ^( s  g5 k1 |0 m8 m+ m

    ' g& T# ]5 `- @; E

    5 y# A: ~7 P! t- Q0 F9 T* i4 H0 U8 T

    $ o8 J( K* x  U4 V! g/ P3 s
    而功率电感, 磁珠或电感的内阻   也不宜过大   否则会产生IR Drop
    使PA线性度下降  ACLR劣化

    / D0 h% q! N3 _) B2 n; Y# c: ?/ W$ S. t. c5 J

    9 a! a3 d( _' G$ r2 N' O; Y: M9 K
    $ A8 B" I) i* B
    ( }' i5 v0 I; z

    6 |% k9 a6 a" e" l+ R. i) k
    . m: H% N) g4 |2 Z; ^9 G; d
    因此总结一下   ACLR劣化时   可以注意的8个方向

    - c# \9 l; T# @9 r
    1.     PA输出功率
    2.     PA Load-pull
    3.     PA Post Loss
    4.     PA的输入阻抗
    5.     PA输入端的SAW Filter
    6.     Vcc的IR Drop
    7.     校正
    8.     DC-DC converter Switching Noise
    1 Y" T& M& g% T) \

    1 R7 O! i8 F2 w$ ]' i) ]  q3 p5 G' g3 J% ^7 g

    % U; _, I* n7 v  X+ k* x
    4 ]1 b- [/ j3 ?/ i$ t$ K7 J, h+ Y+ s3 }1 g8 D3 d( t
    ; ?, n; e! y0 r; k

    点评

    支持!: 5.0
    支持!: 5
    不明觉厉  发表于 2015-3-9 17:08
    支持!: 5
    虽然没有看懂,但是感觉很专业!  发表于 2015-3-9 09:56
    谢谢你的解答,我要慢慢消化下,非常感谢!  详情 回复 发表于 2015-3-9 09:14
  • TA的每日心情
    开心
    2024-9-14 15:26
  • 签到天数: 9 天

    [LV.3]偶尔看看II

    3#
     楼主| 发表于 2015-3-9 09:14 | 只看该作者
    criterion 发表于 2015-3-8 16:32
    ; M/ {" u! A! X; `ACLR肯定是受输出功率影响啊

    " {4 E6 k* h, a8 V谢谢你的解答,我要慢慢消化下,非常感谢!
    6 p* a, b6 k; ]0 z1 m  w! ?

    点评

    另外 建议你RF相关问题可以去 硬件原理与设计› 射频微波/天线技术 发问  详情 回复 发表于 2015-3-9 14:08

    该用户从未签到

    4#
    发表于 2015-3-9 14:08 | 只看该作者
    本帖最后由 criterion 于 2015-3-9 21:12 编辑
      S9 g4 F' a* t5 Z
    [url=forum.php?mod=redirect&goto=findpost&pid=871990&ptid=105457][/url]

    9 i: T" z2 [" [0 B4 C
    5 p: E: S5 v) {& P, P6 A' F- w8 ~+ m4 g) a; O

    : L( G9 T) `+ N& |- t; i
    ) C% S: z. x0 W6 I8 V* W0 Y, N% _8 a  E

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