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; H- W6 A7 o# C+ A, T" d9 m/ @3 D8 Y*PMEG3050EP
* m* }( v5 @6 H; n! Y*9 e) ^7 s, ?2 S" c% @
*NXP Semiconductors& ?3 ?0 k' X" }: \$ [( h
*+ V5 V: k% J$ }# Q6 N! P9 ~
*MEGA Schottky barrier rectifiers
* s& m( ?/ s1 Y*, E6 q: }3 {/ Z4 [$ d; r
*; T8 c. r5 \ W' v r9 Y+ X
*7 O" Z! d& _7 J4 ~3 l' H' ]$ m2 X/ d$ Y
*
' c% s: j) |" S*IFSM = 70A @ tp = 8ms( u$ s2 | \; A6 K
*VF = 360mV @ IF = 5A: c' ]4 v; t3 F& k3 W9 K
*
9 p4 d3 y5 t" z/ F0 t' s*0 Z9 e- ?- F1 |
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5 n5 q( j) d) C7 Z4 J4 o0 k*
6 W) M# L+ q1 h*( Y/ K, Z2 h' S: M! `. d( f, G1 C
*# H" I7 u5 k7 Z& [0 V( q
*/ ?0 L* i3 M9 O. y/ _+ ?' |
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. j2 d; O0 j! F5 h/ E4 }*$ @# o( A' I4 F* l: \! ?
*8 ]. C4 Z$ R. W% r
*Package pinning does not match Spice model pinning.
3 J+ b+ a: }& S0 o2 u. N*Package: SOD128% q1 A# _9 {& a) b
*8 K/ y7 o0 t6 s7 h. B
*Package Pin 1: Cathode
U& j1 P. x7 r6 x*Package Pin 2: Anode 3 a) @ Q ~8 U! P' l4 l# r& m
*2 k8 Q/ I. @9 Q' j: s" M
*
6 X7 H1 L7 L0 @2 M! h" R*
4 a4 ^$ U) o2 J& W" Y y* v7 w4 q*" t& A, k& N+ N" r
*Simulator: SPICE25 X+ d( q* _* u r
*5 M( [' I+ c/ V- k% r
*******************************************
- x( z) N* N* H% l6 }3 T1 V*#3 G) N! C5 D) s3 m% q& E+ i
.SUBCKT PMEG3050EP 1 2
3 S7 z( r F* T1 n7 Y6 u*
) [( K; T3 y# B, i: J6 M* The resistor R1 does not reflect
) Q0 L4 E' K. Z, E* a physical device. Instead it' R4 c* S6 a2 O0 J% J; S$ V
* improves modeling in the reverse9 I- v( J% c# E; t
* mode of operation.3 d, [; }% S z% F, G
*& Q5 r( k% R9 s! G$ I6 m
R1 1 2 4.936E+7 # V7 x. _* o; [
D1 1 2 PMEG3050EP B8 y# Z8 \2 B0 i2 F9 J% I9 L
*/ u( [6 |$ d6 R$ A- w
.MODEL PMEG3050EP D 7 N0 t: A. B& K6 i7 M
3 l7 K, ?5 M; H
+ IS = 0.0001624 , w! ]" Y) {& d0 J/ D: k8 Y
+ N = 1.012
: t6 w& a9 {% d7 s1 J5 W2 w/ v+ M0 t% M J6 b! D1 e1 K
+ BV = 33 7 o3 d% Y+ ~" l
+ IBV = 0.02- U" B( ^' U- b1 T6 [+ C
+ RS = 0.00798 ! P# R: S _, o
+ CJO = 1.496E-009 & q6 y: N8 `7 [6 r- f, T
7 p7 \7 d, k4 S- P& S6 Q
+ VJ = 0.3243
0 w: |- y3 R: L8 @# ? q+ M = 0.503 9 W/ O6 r) w% J: ~+ A
2 b9 ^. T$ }5 e% r N _" p3 z
+ FC = 0.5 % s! m' a( u3 Y9 Y& i9 @1 e* j
& F2 u- l7 x' [7 }
+ TT = 0
4 Y; ?1 S- C- d" I# K8 }2 @, Y8 @: G6 D4 _- {' f1 I' b
+ EG = 0.69 4 H) M: T3 P0 c# h8 u
) |- ^. G1 D& r1 L4 t
+ XTI = 2 9 b3 h }& U: v( Y
.ENDS) T( q) S i. }) A( {7 x
*$ z* B3 l, F, A T
这是NXP官网上PMEG3050EP.prm的spice模型6 b$ i# d4 X2 o& g: S l. [7 [
+ {: u# T. K0 q, Q# N
8 m2 I% z8 D0 G+ ^2 u
这是仿真电路) Y+ C/ Q8 `5 [/ F" R
这个是仿真结果
; \' a' x: t9 _- E P! i1 G
! m( Z' Y$ J* B) W' S, Q6 b
这是datasheet上的图示
% W+ n. u4 [# z/ h5 ^4 [3 u7 i. F* B! ^& x K
PMEG3050EP.pdf
(148.8 KB, 下载次数: 3)
这是datasheet5 i0 h$ W9 ?2 L5 L b1 }0 B( K
PMEG3050EP.zip
(40.97 KB, 下载次数: 11)
这是官网上spice-model0 _! i9 e: q2 T, M; S5 ~
3 B \1 j7 }8 T2 I5 I% k
NXP官网上的模型，仿真与datasheet上不一致，请大家指点一下) O% |+ v; ]9 I0 k' ^
- A; O1 ]) g; r& w! f2 r
4 h5 p% `% Q: X* I
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发表于 2015-1-22 21:44
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