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MOS管导通的问题

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1#
发表于 2022-3-9 14:24 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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一个MOS管栅极给15-20V能导通,我用单片机PWM口最多能输出5V的电压,加
7 x  H5 B- z" ~2 s- p1 p. t) Y2 k% `; {) [
这样的MOS管驱动电路能让输出5V的电压升高使得栅极电压达到要求吗?如果把两个MOS管对接起来,对栅极电压的要求会有什么变化呢??如果导通了的话电压会有多少的降低呢??以IRL2703为例的话
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5 z0 J8 W) e4 ?* C* P, Z7 I 6 I6 y; H3 K% s& n3 p5 w
  • TA的每日心情
    开心
    2023-6-2 15:15
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    [LV.1]初来乍到

    2#
    发表于 2022-3-9 15:07 | 只看该作者
    MOS的导通电压时20V我看都没有看见过,估计你是吧Gt看错了,是栅极最高承受电压,你肯定是看错了,一般来说都是不超过8V,TTL这些低电压的电平驱动场管子的话的确是要加驱动的,不加驱动很恼火,你可以用IRF540N,导通电压最高时4V最低2.5V,参考值是3.5V,但是您应用的是PWM建议您用驱动芯片,在好几十K的情况下驱动MOS栅极是要消耗能量的,而且随着频率的增高,您要做的推动的功率也会相应增加,驱动显得尤为重要,您这个驱动对频率是有限制的,开关电源的话,建议你还是用驱动芯片做,一般单管驱动你这样做开关是有几百ns的延迟,打开时间和关闭时间是有一定延迟的,虽然加了电容作为补偿,下降沿没有足够的栅极放电通路,频率高的时候就工作的不尽人意,我都是用半桥作为驱动的。。。。。一般外围元件加的非常少,如果要延迟开关时间的话我直接加电阻,在受到推动的管子上栅极和源极之间要加吸收电路,不然栅极容易受到尖峰电压的损坏) i9 Y# U9 o( G' Y8 i6 D

    该用户从未签到

    3#
    发表于 2022-3-9 15:18 | 只看该作者
    您这个电路结构大约在40K到顶的样子,大结电容的那种推不动,电阻应该小才可以,不应该变得很大,很多人都以为说场效应管栅极不消耗能量,实际上不是这一个样子的,栅极是需要电容一样充电的,只不过静态的电流几乎是绝缘的,但是这个重点和放电的时候这一瞬间电流可不小。开关的时候频率也不低,这个电流就完全不可以忽略了
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