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拓扑设计和封装技术如何突破功率密度障碍?

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  • TA的每日心情
    开心
    2020-9-8 15:12
  • 签到天数: 2 天

    [LV.1]初来乍到

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    1#
    发表于 2021-5-24 15:11 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    拓扑设计和封装技术如何突破功率密度障碍
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    2#
    发表于 2021-5-24 17:00 | 只看该作者
    同时采用多种方式来克服限制功率密度的每个因素:降低开关损耗,采用创新拓扑和电路,提高封装热性能,以及实现进一步集成

    该用户从未签到

    3#
    发表于 2021-5-24 17:01 | 只看该作者
    在拓扑方面,由于 GaN 集独特的零反向恢复、低输出电荷和高压摆率于一身,可以实现新的图腾柱拓扑,例如无桥功率因数校正。这些拓扑具有硅 MOSFET 无法比拟的更高效率和功率密度。
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