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TI常用器件选型- \# k' r/ t9 X" p. t7 i( ?, I1 j
1 半导体管
! H E2 H* `% X0 i9 S7 s: r1.1 ESBT
( k6 D# w6 V; O- t( ^% bSTC04IE170HP N 沟道ESBT
' l9 q9 b& {, A8 K4A, 1700V, 50W，饱和压阵< 1. 5V7 `6 A0 y+ a/ I$ e( K8 T3 v4 j/ X4 P
1.2 IGBT& g& I' T s% q1 l1 b" }! N: H: ^
1.2.1 600V8 K5 l( b7 R- Q7 A, T
STGD3NB60F N 沟道IGBT3 P8 S' h- J% L$ \4 L" G" ^# ^
3A, 600V, 25W~68W，饱和压降<2 .4V
1 V$ P4 z! q, A6 Y3 XIRGffi6B60DK N 沟道IGBT
1 G; A+ H- _* z2 t% U' l) _' M7A, 600V, 19W，饱和压阵<2.6V( N' `. w% E8 A' {
IRG4IBC30W N 沟道IGBT
# k* K, J8 Z9 t. l( W' D8.4A, 600V, 1 8W，饱和压降<2 .7V. Y _5 z, U1 t- O# Z( A
IRG4PC30W N 沟道IGBT
1 @5 c' g5 M' n* H; A! T* @4 O12A, 600V, 42W，饱和压降<2.7V( {/ n S& v2 H
IRGB4056DP N 沟道IGBT
8 U/ d h; r5 U! e. w* w12A, 600V, 70W，饱和压降< 1.9πf9 P8 z3 k' c* H* u
IRG4PC40W N 沟道IGBT
6 ]& C' h$ f' ?0 c8 |* }8 q20A, 600V, 65W，饱和压降<2.5V
$ O' t. r& }2 J' o) eIRGB20B60PD N 沟道IGBT3 B$ j# [9 w, T1 d. ^
22A, 600V, 86W，饱和压降<3.7V
) `1 |8 j, O# JIRG4PC50W N 沟道IGBT
2 C1 A* |0 L* w+ N) a! \27A, 600V, 78W，饱和压降<2.3V! f$ d0 f2 D! i7 f8 r4 _3 N- X. G
IRG4PC40S N 沟道IGBT
& l0 D1 v7 O7 a4 Y- M31A, 600V, 65W，饱和压降< 1.5V2 k! Q( x% x' c4 D
IRG4PC50S N 沟道IGBT
' s* W3 W+ A: t0 x' c9 P41A, 600V, 78W，饱和压降< 1.4V
; N% L7 J) m) EIRG4PC60F N 沟道IGBT3 w( ?# b, O* }4 P! A i; ]
( l* K# S7 J2 e% p& v! m) @; T! o9 f4 v6 S& n* X! l
- V: Z. h6 i6 R2 n, ~0 Y) |
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发表于 2019-11-19 18:27
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发表于 2019-11-19 20:08
