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稳压管跟nmos管

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1#
发表于 2015-2-26 11:52 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
大家新年好:
) Z% W& D( X; ~3 Q5 }6 Q( h. Z8 H: k请教一个问题,如图,Q3和D7组成的电路是什么作用?,如果BAT+是24V,REGIN是多少?
' b/ ~0 [( ~' f! s- [( s- B

oo1.PNG (43.74 KB, 下载次数: 1)

oo1.PNG

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发表于 2015-3-6 15:34 | 只看该作者
我的结论是   BAT电压必须要大于5.6V  REGIN端 才会有输出BAT电压

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和这楼的观点一致 GS<0 Mos管才会导通  发表于 2015-3-11 08:44

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发表于 2015-3-11 19:28 | 只看该作者
这个电路如果把NMOS换成三极管估计大家都能看明白.作用还是一样的.就是最经典的稳压电路  M! [  K" _* w
" H. x+ F# C/ }' G  Q- A9 }
可是这个电路是2N7002,就没什么意义了.
( X4 y; t1 a8 M) f+ b三极管或NOMS的优缺点:三极管形式由于PN结电压较稳定,所以输出电压精度高一点,缺点是三极管需要较高的电流来驱动基极,所以带载能力差。如果想带载能力好,就需要复合管驱动,这样又会使得元件增加,功耗增大(当然这种是电路也不在乎这一点);
  z) D% U, v& X
. Z$ G1 Q. |/ f- E9 |' F/ k" ?: TNMOS管的唯好处是元件少一点,不需要驱动电流,但是成本高,稳定性或温度特性就更差了.基本上得不偿失。所以实际应用极少

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发表于 2015-4-8 12:01 | 只看该作者
fjnhzhm 发表于 2015-4-8 10:35
2 V4 }6 K2 Q& D8 @9 h  @" C8 ?实测验证神奇杰克的仿真,如下图:
% k. x! E7 J0 `" {, U1 \' I" U
18V 會造成 MOS 燒毀?$ S5 C! ~' a, r( B
VDS 和 VGS 大於外部電源電壓18V,計算 MOS 消耗功率小於 0.06W,以上都符合規格書,所以我認為 MOS 應該不會燒毀。  N% c- \0 X8 W  e4 `
造成 MOS 燒壞原因有可能是實際 MOS 接錯了,或是 ESD 才會造成 MOS 會燒毀。其他不明原因我想不出來!% J" c4 {  e2 B$ E- F. j: f% A

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3#
 楼主| 发表于 2015-2-26 13:02 | 只看该作者
jacklee_47pn 发表于 2015-2-26 12:30
0 m# A: P/ O* H2 `看圖片

: ^4 C2 Y7 Y- u( e0 R! e' u可以分析一下电路的原理吗?2 ~: D8 s' o5 L; ]* j4 G6 {5 z

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4#
发表于 2015-2-26 14:08 | 只看该作者
MOS管就是一开关啦;

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5#
发表于 2015-2-26 16:46 | 只看该作者
D7是一稳压二极管,当电压低于5.6V是不起作有。当电压超过5.6V时,起作用。把Q3的G极拉低。1 G; ?% {! c) x( E, y
如果BAT+是24V,REGIN应该没有电压。因为D7已起作用。Q3已关闭。

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搞错了!6楼才是正解...  发表于 2015-2-28 16:43
这明显不是正解!  发表于 2015-2-28 15:22
正解  发表于 2015-2-28 14:37

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6#
发表于 2015-2-28 10:53 | 只看该作者
我的理解是当BAT+的电压低Q3的VGS(2.1V)电压,Q3关断,REGIN没有电压输出,当BAT+的电压高于VGS电压时,Q3部分打开,REGIN电压为D7上的电压-VGS

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支持!: 5
这个才是正解!  发表于 2015-2-28 15:22

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7#
发表于 2015-2-28 13:55 | 只看该作者
看了半天没看懂这个图的意义,楼主如果可以的话,请上传PDF(完整),或者告知你的目的。

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这是一个电池检测芯片的部分电路,型号是bq34z110,可以看下  详情 回复 发表于 2015-2-28 14:18

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8#
 楼主| 发表于 2015-2-28 14:18 | 只看该作者
fallen 发表于 2015-2-28 13:55
0 Y6 w# a4 z6 t+ q0 v9 N看了半天没看懂这个图的意义,楼主如果可以的话,请上传PDF(完整),或者告知你的目的。

0 Q9 a1 \( {8 ^, p* B, v% G* U这是一个电池检测芯片的部分电路,型号是bq34z110,可以看下
! ^0 c: B) c; }0 |( K$ H  L

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9#
发表于 2015-2-28 15:39 | 只看该作者
楼主这个稳压管和N-MOSFET组合做一个类似稳压的作用。6楼已经分析出来了。
1 h5 k; |% R5 q# D+ L! c9 R) _MOSFET工作在线性状态。

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10#
发表于 2015-2-28 17:07 | 只看该作者
刚才查了下MOS管的线性区指的是VDS电压较低的时候,这个电路MOS管也不是工作在线性区,而是当电池电压超过5.6时G电压恒定,MOS管导通后S极电压开始升高当升高到5.6-Vth时MOS管关断,在MOS管S极电压降低到5.6-Vth以下时MOS管导通,使S极电压维持在5.6-Vth;6楼说的很好

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QQ图片20150228170100.png

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支持!: 5.0
那如果将这个稳压管换成3K电阻,通过电阻降压使得24v稳定后G级电压在5.6v,这样效果是不是也差不多?  详情 回复 发表于 2015-3-5 09:48
支持!: 5
  发表于 2015-3-5 09:46

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11#
 楼主| 发表于 2015-3-2 11:28 | 只看该作者
非常感谢各位的热心解答,谢了

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12#
发表于 2015-3-5 01:11 | 只看该作者
电路设计的不错,用稳压管"制造"一个源。高电压转成低电压逻辑电平,得积累一下~~谢楼主。

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13#
发表于 2015-3-5 09:48 | 只看该作者
本帖最后由 littlepig 于 2015-3-5 09:49 编辑
+ C% n8 u5 p- y" s
风吹摇摆 发表于 2015-2-28 17:07
$ x/ D, z8 l# v刚才查了下MOS管的线性区指的是VDS电压较低的时候,这个电路MOS管也不是工作在线性区,而是当电池电压超过5 ...
8 |% \* _' d4 B, n/ F$ N' K5 C

4 t7 ?5 a1 C2 E' r" V

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为什么你这个提醒一直在,都跟了我10几天了.....  详情 回复 发表于 2015-3-18 15:28

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15#
发表于 2015-3-10 15:27 | 只看该作者
1、电压保护电路,约大于6.1V时(实际应用5.6V稳压管,6.1V时才彻底饱和导通), REGIN端便无电压8 z. @8 k8 I$ E: l& s* v
(<0.2V);而VBAT低于6.1V时, REGIN端跟随VBAT电压变化;
# n2 w& Z9 j; r6 w: `5 r9 y- e2、另外若BAT+接24V, 稳压管比较热,R3适当增大为佳,当然看你用什么类型的电阻与稳压管;
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