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[仿真讨论] 0.5mm pintch QFN封装如何优化Crosstalk?这里有解决方案!

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发表于 2016-4-1 15:53 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 alexwang 于 2018-7-3 09:38 编辑 + R% o1 `6 _, |: s$ Y* v

0 I; _) k7 P5 z/ O* M4 F
0.5mm pintch QFN封装如何优化Crosstalk?这里有解决方案!

, f. ]5 H" G/ z- h! f
9 z. V" p, p, k! r( i0 v7 F一、引言
         随着电路设计高速高密的发展趋势,QFN封装已经有0.5mmpitch甚至更小pitch的应用。由小间距QFN封装的器件引入的PCB走线扇出区域的串扰问题也随着传输速率的升高而越来越突出。对于8Gbps及以上的高速应用更应该注意避免此类问题,为高速数字传输链路提供更多裕量。本文针对PCB设计中由小间距QFN封装引入串扰的抑制方法进行了仿真分析,为此类设计提供参考。

0 P3 ]9 N* q6 Y' }二、问题分析
! ^& ~& ]$ N3 V) B
         在PCB设计中,QFN封装的器件通常使用微带线从TOP或者BOTTOM层扇出。对于小间距的QFN封装,需要在扇出区域注意微带线之间的距离以及并行走线的长度。图一是一个0.5pitch QFN封装的尺寸标注图。
图一  0.5 pitch QFN封装尺寸标注图
% W6 @5 U( D* |: A4 @9 m
图二是一个使用0.5mm  pitchQFN封装的典型的1.6mm板厚的6层板PCB设计:
图二  QFN封装PCB设计TOP层走线

' o0 q1 I1 S% H7 L
差分线走线线宽/线距为:8/10,  走线距离参考层7mil,板材为FR4.
" i1 R, o" _$ p2 ^1 {9 \6 k" \& ?+ c( I
图三      PCB差分走线间距与叠层
) i7 s" k$ y% W5 ?
从上述设计我们可以看出,在扇出区域差分对间间距和差分对内的线间距相当,会使差分对间的串扰增大。
图四是上述设计的差分模式的近端串扰和远端串扰的仿真结果,图中D1~D6是差分端口。
6 e& p/ N2 C0 ]' c
图四   差分模式端口定义及串扰仿真结果
3 u, G7 H$ Z5 X" @
从仿真结果可以看出,即使在并行走线较短的情况下,差分端口D1对D2的近端串扰在5GHz超过了-40dB,在10GHz达到了-32dB,远端串扰在15GHz达到了-40dB。对于10Gbps及以上的应用而言,需要对此处的串扰进行优化,将串扰控制到-40dB以下。

$ P3 `" X/ L& Q# s& O+ D三、优化方案分析
+ b6 @) _& B4 F* y7 [
        对于PCB设计来说,比较直接的优化方法是采用紧耦合的差分走线,增加差分对间的走线间距,并减小差分对之间的并行走线距离。
         图五是针对上述设计使用紧耦合差分线进行串扰优化的一个实例:
图五  紧耦合差分布线图

' {/ z# ~& K, e' x# w, x# Z
图六是上述设计的差分模式的近端串扰和远端串扰的仿真结果:
图六 紧耦合差分端口定义及串扰仿真结果
: F! K9 E) Q& n- O- C; ?" Z% I5 n
         从优化后的仿真结果可以看出,使用紧耦合并增加差分对之间的间距可以使差分对间的近端串扰在0~20G的频率范围内减小4.8~6.95dB。远端串扰在5G~20G的频率范围内减小约1.7~5.9dB。

! ]6 g- r4 `2 _4 F# B' W表一  近端串扰优化统计
( Q$ ~% Q1 \# v) q7 ~  T$ m
表二  远端串扰优化统计

: r6 H' y+ k- M6 [7 `  u
          除了在布线时拉开差分对之间的间距并减小并行距离之外,我们还可以调整差分线走线层和参考平面的距离来抑制串扰。距离参考层越近,越有利于抑制串扰。在采用紧耦合走线方式的基础上,我们将TOP层与其参考层之间的距离由7mil调整到4mil。  
1 @0 ^( w  F  C' {, o
图七   叠层调整示意图

" q5 H! K/ I" N. R$ b/ N
根据上述优化进行仿真,仿真结果如下图:
图八  叠层调整后串扰仿真结果

  T1 f- `! C1 s) U9 u' B  a
         值得注意的是,当我们调整了走线与参考平面的距离之后,差分线的阻抗也随之发生变化,需要调整差分走线满足目标阻抗的要求。芯片的SMT焊盘距离参考平面距离变小之后阻抗也会变低,需要在SMT焊盘的参考平面上进行挖空处理来优化SMT焊盘的阻抗。具体挖空的尺寸需要根据叠层情况进行仿真来确定。
图九  叠层调整后QFN焊盘阻抗优化示意图
: b) H+ l6 T$ c; x. m& j9 `
从仿真结果可以看出,调整走线与参考平面的距离后,使用紧耦合并增加差分对之间的间距可以使差分对间的近端串扰在0~20G的频率范围内减小8.8~12.3dB。远端串扰在0~20G范围内减小了2.8~9.3dB。
表三  近端串扰优化统计
1 I& q5 U, a5 R
表四  远端串扰优化统计
四、结论/ b6 P( Q0 v- [/ P  ~# x
通过仿真优化我们可以将由小间距QFN封装在PCB上引起的近端差分串扰减小8~12dB,远端串扰减小3~9dB,为高速数据传输通道提供更多裕量。本文涉及的串扰抑制方法可以在制定PCB布线规则和叠层时综合考虑,在PCB设计初期避免由小间距QFN封装带来的串扰风险。
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·      TI的DS125BR820 40GbEQSFP+信号调理参考设计
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参与人数 1威望 +10 收起 理由
shark4685 + 10

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该用户从未签到

3#
发表于 2016-4-13 11:19 | 只看该作者
紧耦合和PIN挖空的理论描述比较有用,感谢分享

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4#
发表于 2016-4-13 20:07 | 只看该作者
很好的文章,学习下

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6#
发表于 2020-10-20 11:36 | 只看该作者
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