EDA365欢迎您登录！
您需要 登录 才可以下载或查看，没有帐号？注册
x
光刻胶在做完后续成形工艺之后，PR就不需要了，而且还要去除的很干净，减少多后续工艺的影响。
4 ?, }" x, a6 \* v7 c4 \ 去除光刻胶的方法主要有干法和湿法，湿法是主流，但是对于一些ICP或者离子注入工艺后发生“硬化”的光刻胶，湿法就会出现去胶不干净的情况。 因此就有了干法刻蚀去除光刻胶的技术，从20世纪70年代末开始，干法工艺采用灰化Ashing来去除光刻胶。 灰化，简单的理解就是用氧气把光刻胶燃烧掉，光刻胶的基本成分是碳氢有机物，在射频或微波作用下，氧气电离成氧原子并与光刻胶发生化学反应，生成一氧化碳，二氧化碳和水等，再通过泵被真空抽走，完成光刻胶的去除。
3 s" Y$ T5 l3 c$ G+ `5 ]+ Z 在干法去除机中，等离子体由微波，射频和UV臭氧源共同作用产生。 也有用CF4的。9 y0 [3 c( I0 v4 X: B/ z- y. _7 }
工艺条件也和设备不同有关，一般处理10min~20分钟，根据产品特性而定， 有时候也先用干法刻蚀去胶再用湿法去胶清洗。 但是有时候还是不能去除干净，就只能用笨方法擦了，大家有什么好方法也可以互相交流。
n( W$ t0 q9 m, }8 n6 [7 k | 
/1 
发表于 2022-7-25 11:01
收藏
淘帖
支持！
反对！