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FHF7N65F场效应管替换FQPF7N65C型号参数,用于电机驱动电路

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发表于 2022-6-17 21:10 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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对于PWM调速的电机驱动电路而言,输入电流与电压是直接影响电机的效率的,因此在产品的设计开发中,一定要重点考虑电子元器件的使用,其中MOS管显然也是非常重要的一个环节。) H( U" p) ^+ v, J
5 |5 W2 `- m5 c. I. G
对于目前在使用7A、650V电流、电压MOS管的电机驱动电路要怎么选择才能替换FQPF7N65C型号参数的场效应管呢?
" E! H, I' U5 J3 \( W/ {3 a
# U" X4 _( j) C6 Q对于需求7A、650V、封装TO-220的参数MOS管需要替换型号的,并能替代FQPF7N65C这款场效应管的,我们推荐FHF7N65F这一款场效应管。) _9 T0 B  E3 F8 n+ ~
  T& c) p" T2 p* e: J
FHF7N65F型号的MOS管是由国内已经专注研发20年的MOS管厂家生产,它是纯国产制造,可以替换FQPF7N65C等型号参数的场效应管。$ R% }( Y. x# w7 h0 n" m! E2 |

- P# [" A* d5 T2 ?8 J
/ p3 h, s* e% m5 y& n# m
我们来看看这款优质的FHF7N65F国产场效应管为什么说能比较好的代换FQPF7N65C型号参数在电机驱动电路中使用并能提高效率?6 S& {% A% f$ @% X# n8 R# G

+ t& U& o# j2 }& Y/ r: V以参数视角看的话,飞虹这款FHF7N65F的具体产品参数,具有7A、650V的电流、电压, RDS(on) = 1.5mΩ(max) ,最高栅源电压@vgs =±30 V。/ S% Q+ u/ [- N, }+ j2 Q5 u/ d$ D

& @! w: v- g2 O# l3 Z7N65为N沟道增强型高压功率MOS场效应管,具有低电荷、低反向传输电容、开关速度快的特点。6 a; t: O( N) V, N! J4 ?, y) S

% o9 b" j  \# t

# t! @( ]3 Y# c+ _* S5 ~FHF7N65F的封装形式是TO-220。这款产品参数:Vgs(±V):30;VTH(V):2-4;ID(A):7A;BVdss(V):650V。8 V  y! c$ B/ x& X
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内卷化时代中,场效应管代换建议用飞虹国产型号:FHF7N65F型号参数来替代FQPF7N65C型号。
& ^8 J& s9 `9 M2 B$ K2 r; `
& O2 G4 z3 D" I( {! U( E; i9 _FHF7N65F型号参数的TO-220产品广泛应用于电机驱动电路、DC-DC电源转换器、高压H桥PMW电机驱动电路等行业产品,其它mos管品牌替代型号:FQPF7N65。
5 w9 @6 `/ F0 z1 K* @( w6 t% ~8 e' W. X. U

' e* B& P; k/ x650V、7A 的MOS管代换使用,选对型号能提升产品效率。飞虹半导体的MOS管已经广泛应用于电机驱动、电源电路、智能家居、新能源电子等领域,为国内的电子产品厂家提供了优质的产品以及配套服务。除提供免费试样外,更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。直接百度输入“飞虹电子”即可找到我们,免费试样热线:400-831-6077。9 T4 Y* U9 o2 ~2 Q. s% y+ M1 x' W
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