半导体MOS管雪崩测试过程中，提示preshort与postshort的区别

MrL1 · 发表于 2022-2-22 09:16

您需要登录才可以下载或查看，没有帐号？注册

x

理论的 · 发表于 2022-2-22 10:19

preshort是在加雪崩电流前，测试MOS管的是否有损坏的

rergr · 发表于 2022-2-22 11:28

影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/ 源极及漏极/源极电容。

opipo · 发表于 2022-2-22 13:21

雪崩击穿是指半导体器件上的反向电压超过最大值，并形成强电场使器件内电流增加。晶片尺寸的增加会提高抗雪崩能力，最终提高器件的稳健性。因此选择更大的封装件可以有效防止雪崩。

帐号		自动登录	找回密码
密码			注册

推荐内容 /1