|
|
EDA365欢迎您登录！
您需要 登录 才可以下载或查看，没有帐号？注册
x
这份mos电路设计可以参考一下
* a9 i+ g* P8 `) a) h) g/ m5 U+ C7 i9 G$ E! u
$ h( x/ f( o c. m1 q! w# {
6 u0 J# f+ q" @, ^' P7 r
+ w7 O5 \3 H- \; H9 k) G8 l( K1 G2 ?$ w- U- \# S3 m
, |* [% Z* d5 p
" N, r* B- V3 e- m4 IMOS管不会接反，MOS管经常这么用于防输入电压接反，用MOS管的压降远远小于二极管。两个三极管组成了过流或者说是短路保护电路，左边三极管使两个三极管的基极电压保持在4.3V左右（假设Vbe=0.7V）,则当电流过大导致MOS管的压降增大，右边的三极管发射极电压将小于5V，由于基极电压不变，发射极电压减小使Vbe减小，Ic电流减小，MOS管栅极电位降低，导通电阻增大，电路电流减小。
0 O. @8 k4 ]% {% _ z. O
: t/ t" Y- U# J8 {
1 I# A v. J& v' K. g8 O因为供电电流比较大，在2A左右，如果单是一个二极管的话，0.3/0.7 V x 2A = 0.6/1.4w，功耗还是很大的；所以需要用MOSFET，MOSFET导通阻抗在m欧级别，I^2 X R =0.16w 左右甚至更小。/ x) j2 G, q" d3 G3 w
' T9 A( [/ H/ J0 t, O" W; M: u8 r g4 l. c" p; P
0 }4 ^4 k5 `% E0 k4 O5 r% S+ X5 V5 ^: u; y( A
|
|
/1 
发表于 2019-12-3 14:52
收藏
淘帖
支持！
反对！