TA的每日心情 | 开心
2019-11-20 15:05 |
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& R/ C$ U, R: B, a; ? ~: M9 N2 ]6 uKMFE10012M-B214 规格书,KMFE10012M多芯片封装存储器datasheet - C: _* O5 ~' P5 L( z2 M
2 h& ~+ y @0 F9 x8 }* w5 e4 j' o- SKMFE10012M是一种多芯片封装存储器，它结合了16GB的EMMC和8GB的LPDDR3 SDRAM。
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三星EMMC是以BGA封装形式设计的嵌入式MMC解决方案。eMMC操作与MMC设备相同，因此是使用MMC协议V5.1对内存进行简单读写的一种行业标准。* t* f [# G3 }+ {! w
& k- w' K) t5 y. e* [) ZeMMC由NANDFlash和MMC控制器组成。对于NAND区域(VDDF或VCC)需要3V的电源电压，而MMC控制需要1.8V或3V的双电源电压(VDD或VCCQ)。
& N7 |) {4 D- Z! l! n$ V7 M5 L7 a* e4 i
使用eMMC有几个优点。它很容易使用，因为MMC接口允许轻松地与任何微处理器与MMC主机集成。对NAND的任何修改或修改对th是不可见的。E主机作为嵌入式MMC控制器，将NAND技术与主机隔离开来。这将导致更快的产品开发和更快的上市时间。
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eMMC的嵌入式FLASH管理软件(FLASH Transform Layer，简称FTL)管理磨损平整、块管理和ECC。FTL支持三星NAND闪存的所有功能，并达到最佳性能。; Y5 Z( l& G; O) Q! [1 p8 p3 W' [
( K i5 V# p% C* fLPDDR3设备在命令/地址(CA)总线上使用双数据速率结构来减少系统中输入引脚的数量。10位CA总线包含命令、地址和银行信息。
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5 H- t3 K7 s* j" W这些设备还使用DQ引脚上的双数据速率结构来实现高速操作。双数据速率结构本质上是一个具有接口的8n预取结构。
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" Y* s0 {+ G3 u% U# S对LPDDR 3 SDRAM的读和写访问是面向突发的；访问从选定的位置开始，并对被编程序列中的被编程位置数继续进行。其随后是读或写命令。与激活命令一致的地址和BA位用于选择要访问的行和存储体。地址位R使用与读或写命令一致的电子注册来选择BANK和突发访问的起始列位置, d9 C8 _) m/ L$ T6 ]
! a1 H- t7 C2 P, o5 ^1 J/ w4 {在正常操作之前，必须初始化LPDDR 3 SDRAM。以下部分提供了详细的信息，包括设备初始化、寄存器定义、命令描述和Devi。" g6 `5 w3 e0 A& R% Y
. K! E" j. s6 rKMFE10012M适用于移动通信系统的数据存储，不仅减少了安装面积，而且降低了功耗。该设备可在221球FBGA型.1 u. x* s8 `2 X# t- N/ _3 x) H
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" b; z9 i% R; [; S! e% rKMFE10012M-B214 规格书/datasheet
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发表于 2019-11-14 09:43
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