|
|
EDA365欢迎您登录！
您需要 登录 才可以下载或查看，没有帐号？注册
x
STN3NF06L详细规格
. q+ d* l# v0 o4 g" p3 h2 R% F' @9 Y, U: }- f% n# v2 C) v8 m
) j2 o8 f$ F, [' W
4 ]1 Y4 Y. Z2 q# h, q. R
7 X7 S1 p7 V& n类别：FET - 单
& h3 A* S( F+ r( i& y: ?% A# {! Q描述：MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
& G/ n; W& k* L9 E5 K1 c6 G; v系列：STripFET? 5 V, U( s! _# {+ S6 d
制造商：STMICroelectronics
, g3 O& U+ l- ` y+ G, }/ GFET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
: D2 c. `1 A8 l; U& b/ l nFET特点：逻辑电平门 " ^2 F W# d4 j: i9 Q9 |6 b
漏极至源极电压333Vdss444：60V
' e* ^' i: r; U) e电流_连续漏极333Id4440a025000C：4A $ _: X3 M9 C3 U% g) e* t; a
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 1.5A，10VId时的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 250?A闸电荷333Qg4440a0Vgs：9nC @ 5V
) n6 o, N7 A8 K& n2 K) u. {0 [输入电容333Ciss4440a0Vds：340pF @ 25V ) h0 [4 Y( R* k
功率_最大：3.3W 6 T6 | {, m, P6 p& |' y" H
安装类型：表面贴装 # O; Q( n' h6 N p* U9 M
封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
! Q8 W" [% t( Z a: l" r( \$ B供应商设备封装：SOT-223
& W( [2 z* |# j6 D0 h" b包装：Digi-Reel
0 R5 D) ]/ X1 [9 Y R典型的RDS（ON）＝0.07 2
9 u w8 Q# f3 V. s' W( i特殊DV/dt能力 Avar锚固结技术 100%阿瓦尔锚试验 低阈值驱动
# Z' t/ L7 j) P% {% ^! _描述
1 E0 ^) |, K; x这种功率MOSFET是STMicroelectronis独特的“单特征尺寸TM”条带工艺的最新发展。所得到的晶体管表现出极高的封装密度，用于低导通电阻、坚固的雪崩特性和较少的临界对准步骤，因此具有显著的制造再现性。
! v( H5 }$ S. S+ L8 {应用 / x/ e8 B' t: V7 V \/ c# I
8DC-DC和DC-AC转换器
) N3 A' u5 q% s' K直流电机控制（磁盘驱动器等） , ?+ a7 Q& V5 h
同步整流 |
|
/1 
发表于 2019-3-1 10:13
收藏
淘帖
支持！
反对！