Vincent.M 发表于 2013-12-10 18:12
5 g, s4 \/ K4 y1 p/ }! D: t3 I% w2 p7 Z有结果了吗？
先看芯片本身支持的工作环境吧。
7 W; ?, F9 C6 q; X而且你这个-40°是已经保持一段时间了吧。

1 V* L1 s2 Y4 R$ FUSB PHY厂家仿真说是在-40度没有问题，说要准备做FIB测试了，他们正在输出方案。
是在-40度保持了一段时间出现的问题，但是在-10度至-40度之间都出现过这个问题，不一定非是-40度的情况。而且如果我们的设备通电状态下放到低温中，断电再立即上电是没有问题的。
5 J/ E8 ?8 ^4 a板子原理非常简单，只有一个U口电流，1117电源，和主芯片一个。无钽电容电解电容，全部是瓷片电容。
低温下各种仿真条件：
5 Y, e$ i  N# z$ o$ H1.VDD=1.62V ;  VCCA1= VCCA2=2.97V
mos           section=ss
transistor  section=bjt_ss
7 \% |( M+ C# {5 ?, ?' Lresistor     section=res_ss
0 M- }+ ~- {" e7 r7 q! g6 K2.VDD=1.62V ;   VCCA1=VCCA2=3.63V
; i; V% S  J& f8 C! b4 ymos           section=ss
transistor  section=bjt_ss
" t7 K& L% K: d' d6 k# X3 cresistor     section=res_ss
3.VDD=1.98;     VCCA1=VCCA2=2.97V
; V# T: i* |9 o/ a2 \& K/ Hmos            section=ss
transistor   section=bjt_ss
: @' b+ H' a, n. _) }7 yresistor      section=res_ss
* D% }, s8 r0 D# u4.VDD=1.98;   VCCA1=VCCA2=3.63V
. t8 s4 Q8 c$ x5 g) p, m& Xmos             section=ss
transistor    section=bjt_ss
7 t/ j# S0 H' u' M; Mresistor        section=res_ss
& W8 a3 f* s2 M" ^4 v! k3 R* h, O' ~5.VDD=1.62V;   VCCA1=VCCA2=2.97V
; h. J; N% r/ g/ U! _mos           section=ff
transistor  section=bjt_ff
' Q$ E, G7 }" W9 s$ ?* A3 C, ?resistor      section=res_ff
6.VDD=1.62V;   VCCA1=VCCA2=3.63V
2 K2 j/ t" L9 F& c) ~+ x+ }  mos            section=ff
  transistor   section=bjt_ff
  resistor      section=res_ff
7.VDD=1.98;     VCCA1=VCCA2=2.97V
8 j% [* j7 Q& H# d* m1 p: E/ k   mos             section=ff
   transistor    section=bjt_ff
   resistor       section=res_ff
# w+ Q% _, U  c& a2 Q1 k8.VDD=1.98;     VCCA1=VCCA1=2.97V
. w: D* n% B( I6 J* e) g    mos              section=ff
    transitor        section=bjt_ff
    resistor         section=res_ff
% g/ e' S" E) F4 W

问题解决了，是芯片内部的原因，做了FIB后低温高温测试都正常了，原因是内部有对温度敏感的器件。
- t$ i2 d9 Z) t) K$ f" b以下是客户的回答，也谢谢大家的关注。
. `- H% F& ~0 j+ H3 N我们这边研究分析后认为，2、3、4点基本上都是纯数字逻辑，而数字逻辑在低温下出错或出现timing问题的可能性很小。因此我们将重点怀疑对象放在了PHY的linestate输出即HS linestate的检测上。虽然在现有工艺模型的各个corner下我们仿真验证都没有发现问题，但考虑到我们linestate 检测所用的比较器中有使用与温度相关的PTAT电流，因此我们推测和低温下该电流有关。
3 }# s# C& D  g; Y9 T实际上我们对设计进行了恶化仿真与分析，当我们将设计中的电流人为降低到30%后，在低温下仿真会看到linestate的检测出错的情况。原因主要是由于电流过小后比较器中部分器件工作到了压阈值区，比较器增益下降，比较出错。
在FIB方案中我们将该电流增加了一倍，从FIB测试结果看，我们的推测是正确的。但由于现有模型仿真上无法验证到该问题（我们之前应贵司的要求做了各种低温仿真），因此我们推测可能和model的准确性有关，也有可能和生产中poly 电阻的偏差有关。

多谢大家回复，问题正在查找中，找到USB PHY厂家 抓了握手信号后，他们分析的原因是
1.             此时PHY的linestate输出不正常；
2.             SIE检测linestate出错；
3.             SIE检测到Chirp-JK至驱动TermSelect出错；
7 f. K( J' w" C5 v; S4.            PHY内部的45R终端电阻或控制出错
3 A4 P3 _; L% O2 h  l
对芯片内部的东东一点都不懂，他们说今天给回复，我会及时更新问题结果告诉大家

frankdhc 发表于 2013-12-10 16:12
大侠能说的具体一点吗？  查电容是基于什么考虑的？
知道在低温时电流会消耗增大，特意在电源那加了一个 ...

9 \$ S* G+ q# C9 m# _. g( R& i最近没上论坛。。。问题解决了吗？对于一般器件来说，电容受温度的影响是最大的。普通Y5V的MLCC或者普通铝电解电容在不同的温度下容值和ESR变化非常大。

期待结果解答

来学习的

有结果了吗？
先看芯片本身支持的工作环境吧。
% H# |* W6 k) X9 A/ i而且你这个-40°是已经保持一段时间了吧。
芯片如果支持-40°，那么再去查外围的吧，而且MLCC在-40°一般不会有问题，除非你有普通铝电解在用。
/ _( ?7 j8 p) c2 E/ e+ m1 e希望你给出更多的信息才好判断.

wesnly 发表于 2013-12-10 13:22
# p  q2 n  q' Y. v查电容

7 q, v0 P' |* R) A( D0 p大侠能说的具体一点吗？  查电容是基于什么考虑的？
3 B6 V* o' B9 A* D; P; t: p知道在低温时电流会消耗增大，特意在电源那加了一个100UF的电解，没什么效果。
' Q" {: y5 s& ~( E3 F我们这个芯片有多种封装，我实验了64pin和80pin的芯片且电路不同，都出现了低温U口不识别的问题。

查电容

先確認芯片工作溫度範圍有沒有支持 -40度C。芯片工作溫度沒有支持 -40度C，不管怎麼調整USB都不會工作，即使有一、二芯片個會工作，那是算你幸運，不保證你的上千上萬的產品都會順利工作。

常温正常？如果只是低温不正常那就查芯片电容吧。

电容

常温下让vref尽量高不就行了吗？

kobeismygod 发表于 2013-11-22 17:44
' e- R1 L) E# P7 y1 P( FUSB的不太清楚，但是一般IC内部是有一个bandgap产生VREF输出的，但是这个bandgap的特点就是温度特性比较稳 ...

  H: u: p9 Y. c& `+ n" {我们这个芯片只有3.3V供电，其它的是芯片内部做的转换。你的意思是 芯片内部bandgap的电源有问题？
- J1 Q9 s- d5 A6 T; c3 S. k; _4 g