您这个电路结构大约在40K到顶的样子，大结电容的那种推不动，电阻应该小才可以，不应该变得很大，很多人都以为说场效应管栅极不消耗能量，实际上不是这一个样子的，栅极是需要电容一样充电的，只不过静态的电流几乎是绝缘的，但是这个重点和放电的时候这一瞬间电流可不小。开关的时候频率也不低，这个电流就完全不可以忽略了
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MOS的导通电压时20V我看都没有看见过，估计你是吧Gt看错了，是栅极最高承受电压，你肯定是看错了，一般来说都是不超过8V，TTL这些低电压的电平驱动场管子的话的确是要加驱动的，不加驱动很恼火，你可以用IRF540N，导通电压最高时4V最低2.5V，参考值是3.5V，但是您应用的是PWM建议您用驱动芯片，在好几十K的情况下驱动MOS栅极是要消耗能量的，而且随着频率的增高，您要做的推动的功率也会相应增加，驱动显得尤为重要，您这个驱动对频率是有限制的，开关电源的话，建议你还是用驱动芯片做，一般单管驱动你这样做开关是有几百ns的延迟，打开时间和关闭时间是有一定延迟的，虽然加了电容作为补偿，下降沿没有足够的栅极放电通路，频率高的时候就工作的不尽人意，我都是用半桥作为驱动的。。。。。一般外围元件加的非常少，如果要延迟开关时间的话我直接加电阻，在受到推动的管子上栅极和源极之间要加吸收电路，不然栅极容易受到尖峰电压的损坏
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