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标题: 如何去除光刻胶 [打印本页]

作者: geronimo123    时间: 2022-7-25 11:01
标题: 如何去除光刻胶
光刻胶在做完后续成形工艺之后,PR就不需要了,而且还要去除的很干净,减少多后续工艺的影响。# F  T/ D! D( y6 [' ~1 f/ m" `$ L
去除光刻胶的方法主要有干法和湿法,湿法是主流,但是对于一些ICP或者离子注入工艺后发生“硬化”的光刻胶,湿法就会出现去胶不干净的情况。
    因此就有了干法刻蚀去除光刻胶的技术,从20世纪70年代末开始,干法工艺采用灰化Ashing来去除光刻胶。
   
灰化,简单的理解就是用氧气把光刻胶燃烧掉,光刻胶的基本成分是碳氢有机物,在射频或微波作用下,氧气电离成氧原子并与光刻胶发生化学反应,生成一氧化碳,二氧化碳和水等,再通过泵被真空抽走,完成光刻胶的去除。
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在干法去除机中,等离子体由微波,射频和UV臭氧源共同作用产生。
也有用CF4的。
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工艺条件也和设备不同有关,一般处理10min~20分钟,根据产品特性而定,
有时候也先用干法刻蚀去胶再用湿法去胶清洗。
但是有时候还是不能去除干净,就只能用笨方法擦了,大家有什么好方法也可以互相交流。

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作者: somethingabc    时间: 2022-7-25 13:09
直接擦
作者: 瞪郜望源_21    时间: 2022-7-25 13:13
不错不错,很是专业和深度,值得好好学习下




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