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标题: 负载开关电路电路使用的MOS管，4款场效应管详细参数数据呈现 [打印本页]
作者: 幕刃1    时间: 2022-4-9 22:11
标题: 负载开关电路电路使用的MOS管，4款场效应管详细参数数据呈现
负载开关电路MOS管国产使用推荐，什么类型的型号参数更适合？( a+ s. A, I9 I6 F
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为什么要探讨负载开关电路的MOS管使用呢？因为负载开关作为通用功率开关器件，已经从以前的汽车工业发展至PDA、手机、数码相机等便携式电子产品中使用了。在消费电子领域已经是占据重要的使用。* L& m7 q/ \8 W3 N$ k( [! S

, ^8 C. P" u7 O; I9 `$ T因此我们需要恰当的选用负载开关电路中的MOS管才能保证产品在使用中的可靠性。
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今天飞虹电子整理一份2022年最新的负载开关电路电路可使用的国产MOS管合集，供广大电子工程师参考。
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目前国产MOS管中，最新可应用于负载开关电路电路的场效应管型号为：FHD80N06B、FHD100N03D、FHD150N03C、FHD120N7F6A，以上4款产品都是可以应用于负载开关电路电路中的。
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# x- |* O9 g6 b, V最终如何选择对应每一款负载开关电路呢？这当然是需要结合MOS管的实际参数数据，以及实测的情况：9 u7 |8 K3 h9 |2 c! P
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1、FHD80N06B场效应管
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具有80A、60V的电流、电压，RDS(on) = 6.2mΩtyp) ，最高栅源电压@vgs =±20 V，100% EAS测试，100% Rg测试，100% DVDS热阻测试，一致性高，高可靠性，开关速度快，低导通内阻RDS(on)，低Crss。3 a; b0 A3 m9 c) [8 \  ?# r# k
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FHD80N06B的封装形式为TO-220。这款产品参数：Vgs（±V）：20；VTH（V）：2-4；ID（A）：80A；BVdss（V）：60V。
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7 w7 W: L  f6 }7 D) M. j3 P0 A; Z最大脉冲漏极电流（IDM ）：320（A）；静态导通电阻（typ）：VGS=10V则为6.2mΩ、反向传输电容：240pF。
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- ]& C3 h5 s. b4 U2、FHD100N03D场效应管# i6 ~* [& M" x
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作为N 沟道增强型场效应晶体管，其产品参数：其产品参数：具有100A、30V的电流、电压，RDS(on) =7.0mΩmax) ，最高栅源电压@VGS =±20 V，100% EAS测试，100% Rg测试，100% DVDS测试，极低的FOM(RDSON*Qg)，高雪崩耐量，可靠性高。
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FHD100N03D的封装形式是TO-252。这款产品参数：Vgs（±V）：20；VTH（V）：1-2.5；ID（A）：100A；BVdss（V）：30V。最大脉冲漏极电流（IDM ）：100（A）；静态导通电阻：在（VGS =10V , ID=30A）状态下（typ）= 3.8mΩ、（max）=5.5mΩ，在（VGS =4.5V , ID=20A）状态下（typ）= 5.1mΩ、（max）=7.0mΩ；反向传输电容：195pF。$ ?  k) w' Q7 A2 I. z
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3、FHD150N03C场效应管
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这款产品参数：Vgs（±V）：20；VTH（V）：0.8-2.5；ID（A）：150A；BVdss（V）：30V。1 v- V4 a8 L; c- G* y
最大脉冲漏极电流（IDM ）：600（A）；静态导通电阻（typ）：VGS=10V则为2.2mΩ、VGS=4.5V则为2.8mΩ；反向传输电容：405pF。
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6 M+ n: T3 H! X1 L- Y  R) d4、FHD120N7F6A场效应管
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: A6 I* z7 U5 P- b; I4 ^最高漏极－源极直流电压为70V，在TC=25℃下，其连续漏极电流为120A，在TC=100℃下，其连续漏极电流为80A。$ I, Z' {! N& x# w
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最大脉冲漏极电流（IDM ）：480（A）；静态导通电阻（typ）：VGS=10V则为5.4mΩ；反向传输电容：24pF。2 n6 ?' M  f, l0 Z/ k! k

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5 Q! f7 ?, s5 N( P以上4款MOS管型号：FHD80N06B、FHD100N03D、FHD150N03C、FHD120N7F6A的型号参数数据均通过实际进行测试得出，具体在负载开关电路中的使用，建议开发工程师进一步取样测试。毕竟不同的性能以及需求对应要选择的MOS管还是会有差异的，详细参数规格表可登陆“飞虹电子”网址。/ l# ?! ]( j  @) s$ r% b
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飞虹电子拥有专门的研发团队为企业在产品研发过程中的产品测试提供保障，能及时帮助厂家解决产品测试问题，帮助企业做强做大。
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