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标题: 选择MOS管的散热要求 [打印本页]

作者: choose521 时间: 2022-2-14 14:46
标题: 选择MOS管的散热要求
须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。在MOS管的资料表上还有一些需要注意的测量数据；器件的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积（结温=最大环境温度+［热阻×功率耗散］）。根据这个式子可解出系统的最大功率耗散，即按定义相等于I2×RDS（ON）。我们已将要通过器件的最大电流，可以计算出不同温度下的RDS（ON）。另外，还要做好电路板
及其MOS管的散热。雪崩击穿是指半导体器件上的反向电压超过最大值，并形成强电场使器件内电流增加。晶片尺寸的增加会提高抗雪崩能力，最终提高器件的稳健性。因此选择更大的封装件可以有效防止雪崩。

作者: opipo 时间: 2022-2-14 15:44
选取要符合使用要求，否则容易损坏

作者: Blah 时间: 2022-2-14 16:08
MOS管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS（ON）所确定，并随温度而显著变化

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