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标题: MOS管的闸电流(Qg)是什么意思 [打印本页]
作者: choose521    时间: 2022-1-17 15:03
标题: MOS管的闸电流(Qg)是什么意思
本帖最后由 Heaven_1 于 2022-1-17 16:12 编辑 " |! Y, I) Y3 E4 A  y, A
9 E/ `. y! q  n% f# p+ P* ]' I
公司中MOS现在用得比较多，有何知识点不太懂，请大神指点一下MOS管的闸电流中的“Qg”意思是：% ]& x' I! [5 c. Z% G, ~) J  k2 C- k
作者: rergr    时间: 2022-1-17 15:42
MOS电容的特性能被用来形成MOS管。Gate，电介质和backgate保持原样。在GATE的两边是两个额外的选择性掺杂的区域。其中一个称为source，另一个称为drain。% ?; o0 c' W+ \) e- ]$ X* D* w
作者: 八戒爱电子    时间: 2022-1-17 16:11
MOS管的闸电流中的“Qg”意思是： Q----表示电荷量，g-----表示栅极。Qg就是表示使MOS管导通栅极所需的电荷量。
4 T4 b; v. \' k9 W  L9 R+ L/ A
* w2 D! e; R2 U% b6 ] MOS管的栅极特性相当于一个电容，电容是以电荷量Q，单位库伦表示所储存的电能量。3 \) i% z; _4 E* t3 R

& ?5 j8 g- J' s- g( yMOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
作者: colin_fa    时间: 2022-1-17 16:12
在电压一定的条件下，电荷越大、电容越大，这是动态参数测试的理论基础，理解Qg很重要。
作者: 芦根苏木    时间: 2022-1-17 16:40
Qg就是表示使MOS管导通栅极所需的电荷量
0 O. Z7 Y' G4 R
作者: 八戒爱电子    时间: 2022-1-17 17:41
hgaj 发表于 2022-1-17 16:40' P3 ?3 H" a$ T! }$ Q: o7 A
Qg就是表示使MOS管导通栅极所需的电荷量
& y* P6 ]0 w0 [5 {* q& E+ z" `
是的，是的，就是电荷量的意思8 e/ ^3 n! K" e) Z9 B. m( l




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