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标题: 拓扑设计和封装技术如何突破功率密度障碍? [打印本页]

作者: reasonant-j 时间: 2021-5-24 15:11
标题: 拓扑设计和封装技术如何突破功率密度障碍?
拓扑设计和封装技术如何突破功率密度障碍

作者: vava 时间: 2021-5-24 17:00
同时采用多种方式来克服限制功率密度的每个因素：降低开关损耗，采用创新拓扑和电路，提高封装热性能，以及实现进一步集成

作者: vava 时间: 2021-5-24 17:01
在拓扑方面，由于 GaN 集独特的零反向恢复、低输出电荷和高压摆率于一身，可以实现新的图腾柱拓扑，例如无桥功率因数校正。这些拓扑具有硅 MOSFET 无法比拟的更高效率和功率密度。

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