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标题: 基于MSP430单片机畿晶化监控 系统设计与实现 [打印本页]

作者: ByGrith4    时间: 2020-3-27 09:33
标题: 基于MSP430单片机畿晶化监控 系统设计与实现
摘要:针对非晶材料晶化过程的电特性,提出了晶化温度控制和电阻率测试的总体设计方案,
& t8 B7 j% N) _: {+ n# k4 Q介绍了监控系统硬件和软件设计,并具体设计了以MSP430单片机为核心的智能温度控制和电阻: @  e0 f. z; r8 E* P; |8 I
率测试装置。试验结果表明该系统既提高了控制精度和可靠性,降低了开发成本,又能准确及时地) l& h3 p" f  U, R* T; K
实现非晶材料晶化过程电特性的在线动态研究。
# G; m' Q7 {2 E, _* R7 {: E: X  L! o关键词:晶化监控;组合自校正; MSP430% L; E6 {+ \' R7 @* p( p% U2 I$ L2 ^
02 h3 ^( k4 [: s; z" Y: Y8 y
引言
, w9 c& a. K1 m4 t非晶材料具有超高强度和- -定的韧性,而且价$ E+ C1 g  }% E  p9 f
格低廉,具有广阔的应用前景,是有色金属新材料的% I5 p4 ^; j3 x" d' ]4 G
研发方向之一。由于非晶材料在晶化过程中表现出
# P' |% @0 \  X* r1 u) X明显的电特性,而电特性是表征晶化过程晶核组织
- T' B# c9 \: N3 G& o" v  ?. ~( p结构的一项重要指标,所以通过电阻率与温度的关.) m% [% R. G0 Z( I& T
系来研究非晶材料的晶化动力学过程,是- -种实用) o+ Z. J3 C( b& @$ e0 }
# V! b% j1 k/ d* f9 ^" n
有效的方法。为完成对非晶材料晶化过程电特性测9 ^1 ?# F. H! X! M9 ^; ~
试,即电阻率在晶化突变点及亚稳相各特征点的测4 M: C6 `" U0 A& p* P) y, x3 \
试,需要对晶化过程的温度进行精确控制,而且需要
! I3 B6 e- e  _5 P( c; c依据不同的材料样品对温度进行灵活设置,所以需
3 ^' w0 P" w! G5 L# J2 {8 s要设计出一个通用的温度控制器。基于此该文提出
& m1 S; G0 K, M. J了非晶材料晶化过程温度控制和电阻率测试的设计) P6 w( D" y! t, ^$ t8 k
方案,并具体设计了以MSP430单片机为核心的智6 n# |. H) l3 i0 p/ P3 q
能温度控制和电阻率测试装置。同时采用
/ {' J3 G5 p- |3 tMSP430F413单片机定时器实现信号采样和PWM1 _1 A2 R/ O. q
控制,不仅降低了开发成本,而且为非晶材料晶化过
2 v3 c2 t# q3 g+ }4 Q程电特性的研究提供了实时有效的途径。
! z- v% l$ x3 m3 B) }- a# ~% Q: W1监控系统组成
0 E: s* x7 W9 [& v1 R: ^系统由上位机和下位机两部分组成:上位机为
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& c3 y9 g- k. B% _8 Z. c. O
, J# u' w. N4 L- Q9 D) V9 U
( t) `1 Z9 M) B2 ?( O) o* p附件下载:
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作者: Racheler    时间: 2020-3-27 09:54
采用MSP430F413单片机定时器实现信号采样和控制,降低了开发成本




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