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标题: 国产半导体器件型号的命名方法 [打印本页]

作者: Colbie    时间: 2019-11-18 09:42
标题: 国产半导体器件型号的命名方法
国产半导体器件型号的命名方法
5 ?/ q) Q* b: o2 }% u1. 国产半导体器件型号由五个部分组成( p7 [# t; I! z0 s; D0 @3 a) f
第一部分;用阿拉伯数字表示器件的电极数目
7 x, n- |; X0 Q1 Z第二部分;用汉语拼音字母表示器件的材料和极性
. @7 H  n8 n* m, r( m第三部分;用汉语拼音字母表示器件的类型
8 B# y$ c9 L8 i4 t. b8 L0 h第四部分;用阿拉伯数字表示序号% h, d7 ]/ q( m7 d* `
第五部分;用汉语拼音字母表示规格号( i0 e1 E  c6 Y  I& W( M3 i
注:场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三。四、五部分。
4 Q$ z$ U; ]$ o0 q2. 半导体器件组成部分的符号及其意义如下表:6 n4 H% C0 F, B; L3 q
表 1 国产半导体器件命名
完整资料见附件:
  r, h( f$ p7 x1 A- e# g. \1 n
  K0 u3 i& j3 w( {1 U0 r& S) I

作者: ExxNEN    时间: 2019-11-25 19:21
看哈




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