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标题:
国产半导体器件型号的命名方法
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作者:
Colbie
时间:
2019-11-18 09:42
标题:
国产半导体器件型号的命名方法
国产半导体器件型号的命名方法
5 ?/ q) Q* b: o2 }% u
1． 国产半导体器件型号由五个部分组成
( p7 [# t; I! z0 s; D0 @3 a) f
第一部分；用阿拉伯数字表示器件的电极数目
7 x, n- |; X0 Q1 Z
第二部分；用汉语拼音字母表示器件的材料和极性
. @7 H n8 n* m, r( m
第三部分；用汉语拼音字母表示器件的类型
8 B# y$ c9 L8 i4 t. b8 L0 h
第四部分；用阿拉伯数字表示序号
% h, d7 ]/ q( m7 d* `
第五部分；用汉语拼音字母表示规格号
( i0 e1 E c6 Y I& W( M3 i
注：场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三。四、五部分。
4 Q$ z$ U; ]$ o0 q
2． 半导体器件组成部分的符号及其意义如下表：
6 n4 H% C0 F, B; L3 q
表 1 国产半导体器件命名
完整资料见附件：
r, h( f$ p7 x1 A- e# g. \1 n
K0 u3 i& j3 w( {1 U0 r& S) I
作者:
ExxNEN
时间:
2019-11-25 19:21
看哈
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