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标题: PMOS LDO和NMOS LDO的区别在什么地方，还有具体在选型的时候该如何进行选择 [打印本页]
作者: aicongcong    时间: 2019-7-16 16:59
标题: PMOS LDO和NMOS LDO的区别在什么地方，还有具体在选型的时候该如何进行选择
如题，最近在看LDO，看到有PMOS LDO和NMOS LDO的区别，想问问有没有大神了解，说一下详细的区别，最好有一些文档是更好。1 H+ P1 d, ?$ P; @* l
作者: jacky401    时间: 2019-7-16 21:27
PMOS LDO和NMOS LDO两者之间主要是压差不一样，PMOS的dropout是饱和压降Vdsat，而NMOS的dropout电压是VGS（Vdsat+Vth)。
作者: pengyujun180334    时间: 2019-7-17 09:04
学习
作者: 杜胖胖    时间: 2019-7-17 10:26
就普通PMOS LDO和NMOS LDO来说，架构不一样，适合的应用场景也会不一样。在PMOS LDO中，栅极驱动由误差放大器给出，源极接输入电压，在某一点上，误差放大器的输出饱和，也即Vgs的绝对值不会比地电压减去输入电压的绝对值更高，此时Rds最小，有利于实现超低压差，所以PMOS LDO更适合在一些高输出电压（此时输入电压也较高，相应的Vgs的绝对值越大，Rds越小）的场景下应用。对NMOS LDO来说，源极接输出，当输入电压接近额定输出电压时，误差放大器将增大Vgs以降低Rds来保持输出电压稳定，在某一点，Vgs不能再增加，此时误差放大器的输出等于输入电压减去地电压，此时Rds最小，输入电压达到了可以维持额定输出电压的最低值，即实现可达到的最低压差，若此时继续减小输入电压，那么Vgs也会随着减小，Rds增大，输出电压将不能保持在额定值上。另外，如果要实现低输出电压时的超低压差，不妨选择带有偏置轨或者电荷泵的NMOS LDO
作者: Aubrey    时间: 2019-7-17 10:53
Vdropout,NMOS = Vout + VGS,P ASS [V ]
3 f, E; H' E8 O+ S" D- tVdropout,PMOS = Vout + Vdsat,P ASS [V ]
/ v0 T5 G* r& j9 ?" m常见的都是PMOS，如果是低压、低压差场合，NMOS更适合3 I( e: Z! k, H( h- i! p6 c
  L( _! t0 A4 L9 o
Design of low-dropout voltage regulator.pdf (2.39 MB, 下载次数: 103)
5 M$ O6 Q" L8 o- J6 f Linear Regulators-Fundamentals and Compensation.pdf (594.17 KB, 下载次数: 60)
6 l# x$ ^; [. i6 X- k' I  Z) e6 I8 @5 O3 i
+ b7 S4 _+ R1 a6 o# f  n
作者: aicongcong    时间: 2019-7-17 12:39
杜胖胖 发表于 2019-7-17 10:261 C% V7 y( G# Y( Z
就普通PMOS LDO和NMOS LDO来说，架构不一样，适合的应用场景也会不一样。在PMOS LDO中，栅极驱动由误差放大 ...
- q# j% m: o$ J* t" O
谢谢回答，我先仔细看一下  g! Q( Q6 A3 x
作者: aicongcong    时间: 2019-7-17 12:40
Aubrey 发表于 2019-7-17 10:53/ [5 O" K6 _5 m% M4 X- j  P. u4 A
Vdropout,NMOS = Vout + VGS,P ASS [V ] " ^2 I, _: g! E3 {& B- S* `
Vdropout,PMOS = Vout + Vdsat,P ASS [V ]
; K1 U0 |1 X9 p2 w1 Y$ d) k( C常见的都是PMOS，如 ...

. [! ^0 R% o1 b# l7 g; {' t非常感谢
' N" I- R! `2 t/ `( [
作者: aicongcong    时间: 2019-7-18 21:53
aicongcong 发表于 2019-7-17 12:40
# x3 r/ ?7 D2 }# r非常感谢

+ N0 A* T! C' Y) o+ ^Vdropout,NMOS 这个指的是Vin吧？Vdropout,NMOS = Vout + VGS,P ASS [V ]这个是怎么算出来的？
" l8 c- B) V! X- o  P6 E+ c
作者: xiaoqiqqq    时间: 2019-8-22 18:25
楼主讲的相当透彻见底，很棒棒
作者: anguchou    时间: 2019-8-25 22:08
作者: 15829766594    时间: 2020-5-29 08:09
写的很好
作者: 15829766594    时间: 2020-5-29 08:10
不过TI后来也有个ppt，写的也不错
作者: wangchqin    时间: 2020-5-29 10:52
SGASGFHFHHJ
作者: fisheryzh    时间: 2020-5-29 11:53
VGS不是比Vdsat更大吗
作者: lize314    时间: 2020-5-29 15:20
学习学习，用LDO没想这么多~~
作者: coeus    时间: 2021-5-18 10:32
学习学习!!!!
作者: cscscwww    时间: 2021-5-19 15:07
fisheryzh 发表于 2020-5-29 11:53
6 s* j8 v% `2 F. i2 K6 pVGS不是比Vdsat更大吗

& G- ?# q4 \8 I; m. f+ ^1 h. Y好像是更大一些# c* \' |' P' W1 y4 F3 f" h
作者: ounce    时间: 2021-5-19 16:03
对NMOS LDO来说，源极接输出，当输入电压接近额定输出电压时，误差放大器将增大Vgs以降低Rds来保持输出电压稳定，在某一点，Vgs不能再增加，此时误差放大器的输出等于输入电压减去地电压，此时Rds最小，输入电压达到了可以维持额定输出电压的最低值，即实现可达到的最低压差，若此时继续减小输入电压，那么Vgs也会随着减小，Rds增大，输出电压将不能保持在额定值上。
作者: freedom1    时间: 2021-5-20 15:13
不过TI后来也有个ppt，写的也不错。
作者: 争当小能手    时间: 2021-5-24 10:38
学习学习
作者: fchfchfch    时间: 2021-9-25 16:10
6666666666666666
作者: fchfchfch    时间: 2021-9-28 19:21
6666666666666
作者: killer00    时间: 2021-9-29 08:29
PMOS LDO和NMOS LDO的区别
作者: sicder    时间: 2021-12-17 19:39
学习学习
作者: jiangsirnj    时间: 2022-7-20 10:06
找了这份资料好久，谢谢
作者: chaos7119    时间: 2023-5-16 09:09
学习了学习了
作者: hyf2study    时间: 2024-10-31 17:42
多谢楼主" i7 S( t3 ^7 {4 g. _3 [
后来者的尊敬; y4 t, O, G0 {, k. ]0 j
作者: 白皙滴卤蛋    时间: 2025-3-4 13:48
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作者: hglhgl021    时间: 2025-5-2 18:10
看看怎么样
作者: bingshuihuo    时间: 2025-7-4 09:51
学习学习，用LDO没想这么多



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