英飞凌突破性300 mm GaN技术推动市场快速增长

2024-9-14 10:59| 查看: 124| 评论: 0|来自: 美通社

摘要: 英飞凌科技股份公司宣布，已成功开发出全球首项300 mm氮化镓(GaN)功率半导体晶圆技术。英飞凌是全球首家在现有且可扩展的大规模生产环境中掌握这一技术的企业。这项突破将极大地推动GaN功率半导体市场的发展。相较于 ...

英飞凌科技股份公司宣布，已成功开发出全球首项300 mm氮化镓(GaN)功率半导体晶圆技术。英飞凌是全球首家在现有且可扩展的大规模生产环境中掌握这一技术的企业。这项突破将极大地推动GaN功率半导体市场的发展。相较于200 mm晶圆，300 mm晶圆芯片生产不仅在技术上更先进，也因为晶圆直径的扩大，每片晶圆上的芯片数量增加了2.3倍，效率显著提高。（美通社）

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