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EDA365直播课--《高速刚挠板叠层设计与阻抗计算》
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STW33N60M2详细介绍

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发表于 2019-7-10 15:21 | 显示全部楼层 |阅读模式

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STW33N60M2详细介绍

描述
      这些器件是采用新一代MDmeshnM技术开发的N沟道功率MOSFET:MDmesh II Plus低Qg。这些革命性的功率MOSFET可以为公司的带状布局提供垂直结构,从而产生世界上最低的导通电阻和栅极电荷之一。因此,它们适用于要求最苛刻的高效转换器。

STW33N60M2应用
·切换应用程序
·LCC转换器,谐振转换器

特征
·极低的栅极电荷
·与上一代相比,降低RDS(on)x区域
·MDmeshnx II技术
·低栅极输入电阻
·100%雪崩测试
·齐纳保护

规格信息
系列:MDmesh? II Plus
FET类型:N 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
DraintoSourceVoltage(Vdss):600V
电流-连续漏极(Id)(25°C时):26A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):45.5nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):1781pF @ 100V
Vgs(最大值):±25V
功率耗散(最大值):190W(Tc)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):125 毫欧 @ 13A,10V
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-3
封装形式Package:TO-247
极性Polarity:N-CH
漏源极击穿电压VDSS:650V
连续漏极电流ID:26A


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